北京
国家知识产权局信息显示，广东盈华电子科技有限公司申请一项名为“一种适用于PTFE基材的电解铜箔制备方法及电解铜箔”的专利，公开号CN121321135A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开一种适用于PTFE基材的电解铜箔制备方法及电解铜箔，步骤包括酸洗、一次水洗、阵列化铜柱制备、二次水洗、蚀刻、三次水洗、防氧化处理、四次水洗、硅烷化、烘干及收卷。其中掩膜阵列化曝光能量200 ‑ 300mJ/cm²，电镀电流密度2 ‑ 4A/dm²、时间10 ‑ 20分钟，蚀刻在35 ‑ 45℃下处理3 ‑ 8分钟。该方法通过精准工艺控制，使铜箔形成独特米粒状铜瘤结构，最终产品Rz≤1.5μm、Ra≤0.2μm，不仅粗糙度均匀，且力学性能与贴合性能优异，完全符合《GB‑T 5230‑2020》标准，可作为高频高速PCB领域PTFE基材的适配铜箔原料，应用前景广阔。
天眼查资料显示，广东盈华电子科技有限公司，成立于2021年，位于梅州市，是一家以从事有色金属冶炼和压延加工业为主的企业。企业注册资本33528万人民币。通过天眼查大数据分析，广东盈华电子科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目48次，专利信息63条，此外企业还拥有行政许可92个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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