北京
分享至
国家知识产权局信息显示，英飞凌科技德累斯顿公司申请一项名为“具有场氧化物厚度过渡区的半导体管芯及生产该半导体管芯的方法”的专利，公开号CN121335185A，申请日期为2025年5月。
专利摘要显示，具有场氧化物厚度过渡区的半导体管芯及生产该半导体管芯的方法。一种方法，包括：在半导体晶片的第一主表面上形成第一氧化物层，第一氧化物层具有400nm或更小的厚度；在第一氧化物层上形成第二层；更改第二层的至少第一部分的蚀刻速率，使得蚀刻速率的水平分量(r1)大于第一氧化物层的蚀刻速率的垂直分量(r2)；使用各向同性蚀刻剂通过掩模中的开口蚀刻氧化物层，其中由于r1和r2之间的差异，在掩模下方的第一氧化物层的第一厚度过渡区被蚀刻为相对于第一主表面具有小于45度的锥度；在蚀刻之后，移除第二层并且然后形成与第一厚度过渡区相邻的栅极氧化物。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
