北京
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国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司取得一项名为“半导体器件”的专利，授权公告号CN223810086U，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本文涉及半导体器件。提供了一种基于包括工作体的异质结构的半导体器件，该半导体器件具有晶片和外延多层，外延多层在晶片上沿着从晶片的前表面直到上部表面的方向延伸。为了形成有源区，导电材料的导电区域被形成在外延多层上。为了形成用于偏置第一导电区域的接触区域：前沟槽被形成在工作体中，从晶片的上部表面开始朝向后表面直到接触表面；在接触表面上，导电区域被形成在前沟槽内，并且与第一导电区域电接触；后沟槽被形成在工作体中，从后表面开始朝向上部表面直到接触表面；以及在接触表面上，后金属化层被形成在晶片的后表面上和后沟槽内。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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