北京
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国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“具有降低的表浅层中电场的电子器件及其制造方法”的专利，公开号CN121335110A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本公开涉及具有降低的表浅层中电场的电子器件及其制造方法。一种电流隔离器件包括在电流隔离模块的顶部金属层上方延伸的金属盖层。金属盖层在顶部金属层的中心部分处与顶部金属层电接触。缓冲层在顶部金属层的外围部分处将金属盖层与顶部金属层分离开。通过将金属盖层的侧边缘从顶部金属层的对应边缘凹陷一定距离（例如，大于1微米），使金属盖层和顶部金属层的边缘处的电场峰彼此解耦。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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