北京
国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121335109A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供衬底，衬底上形成有栅介质层；于栅介质层上依次形成高阻部件和第一掩膜层，第一掩膜层覆盖高阻部件和栅介质层，且第一掩膜层内形成有暴露部分高阻部件的第一开口；基于第一掩膜层刻蚀高阻部件及部分栅介质层，以形成贯穿高阻部件并延伸至栅介质层内的凹槽；进行外延生长工艺，使外延生长后的高阻部件填满凹槽中高于栅介质层的部分，并于凹槽中位于栅介质层内的部分形成气隙；形成至少覆盖高阻部件的保护层，并进行离子注入工艺以形成高阻结构，高阻结构包括气隙和经过离子注入的高阻部件；去除保护层。本申请降低了高阻部件和衬底间产生寄生PN结或电容的概率，提高了半导体器件的性能。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目636次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1569条，此外企业还拥有行政许可22个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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