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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“存储单元结构和半导体存储器件以及制造该存储单元结构和半导体存储器件的方法”的专利，公开号CN121310547A，申请日期为2025年5月。
专利摘要显示，本公开技术公开了一种存储单元结构、半导体存储器件及它们的制造方法。在一个实施例中，半导体器件包括：沿第一水平方向延伸的下互连；沿垂直于第一水平方向的第二水平方向延伸的上互连；以及以柱状排列在下互连与上互连之间的存储单元结构，其中存储单元结构包括：选择元件层；存储元件层；以及设置在选择元件层与存储元件层之间的中间电极，选择元件层包括：氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的至少一种；第一掺杂剂包括硼、铝、镓、铟或铊中的至少一种；以及第二掺杂剂包括砷、磷或锗中的至少一种。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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