北京
国家知识产权局信息显示，深圳市新凯来工业机器有限公司申请一项名为“半导体器件及其形成方法和电子设备”的专利，公开号CN121310562A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及其形成方法和电子设备，能够有效优化了不同尺寸的栅极开口内功函数金属层的刻蚀工艺，提高半导体器件的电学性能与制程良率。形成半导体器件的方法包括：提供基体，基体上具有层间介电层，层间介电层的第一栅极开口与第二栅极开口的内表面均覆盖有栅极介电层；在层间介电层和栅极介电层上沉积功函数金属层，功函数金属层在第一栅极开口内形成第一凹槽；在功函数金属层上沉积金属掩模层，金属掩模层在第一凹槽内形成第二凹槽；在金属掩模层上旋涂保护层；去除保护层；刻蚀部分金属掩模层；刻蚀部分功函数金属层；在第一栅极开口和第二栅极开口内填充自对准接触保护层。
天眼查资料显示，深圳市新凯来工业机器有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本108140万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市新凯来工业机器有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目18次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息194条，此外企业还拥有行政许可14个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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