北京
国家知识产权局信息显示，苏州华太电子技术股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件的制备方法以及半导体器件”的专利，公开号CN121310560A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请实施例提供一种半导体器件的制备方法以及半导体器件，所述方法包括：提供衬底，在所述衬底一侧形成外延层，所述衬底与所述外延层的掺杂类型不同；对所述外延层进行掺杂处理，形成堆叠的体区、沟道区和栅极；所述栅极位于所述沟道区远离所述衬底的一侧；对所述沟道区进行至少一次掺杂处理，至少形成沿所述衬底垂线方向堆叠的第一沟道区、第二栅极和第二沟道区，其中，所述第一沟道区与所述栅极接触。通过在沟道区内引入第二次p型离子注入，构建了双沟道并联的结构。使得在器件导通时，电流可同时流经第一沟道区和第二沟道区，显著提升了导通电流能力。
天眼查资料显示，苏州华太电子技术股份有限公司，成立于2010年，位于苏州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本38473.6371万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州华太电子技术股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息60条，专利信息501条，此外企业还拥有行政许可11个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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