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记忆体芯片缺货大涨价热潮,蔓延至下游封测领域。受惠DRAM与储存型快闪记忆体(NAND Flash)大厂加足马力冲刺出货,力成(6239)、华东(8110)、南茂(8150)等记忆体封测厂订单涌进,产能利用率直逼满载,近期陆续调升封测价格,调幅上看三成。相关封测厂透露,订单真的太满,后续不排除启动第二波涨价。
法人分析,力成、华东、南茂等记忆体封测报价调涨后,涨价效益将从首季起逐步反映在财报数字,若后续再启动第二波涨价,今年将成为记忆体封测业「价量齐扬」的一年,相关业者2026年业绩将吞大补丸。
对于涨价议题,遭点名的记忆体封测厂均相当低调,仅强调报价会依照市场需求,进行弹性调整。
业界分析,随着三星、SK海力士、美光等三大记忆体芯片厂全力扩充AI用的HBM产能,资源集中在先进制程与先进封装,同步排挤标准型DRAM与NAND芯片产出,使得旧规格产品供给转趋吃紧。
伴随云端、工控等需求回温,DDR4、DDR5与NAND芯片拉货动能强劲,进一步点火后段封测需求,台湾主要记忆体封测厂力成、南茂、华东产能利用率均已逼近满载,因而顺势调升报价,涨幅上看三成,不排除后续视供需状况,再启动第二波涨价。
力成为全球DRAM、NAND芯片封测龙头。供应链透露,力成目前DRAM封测产能利用率几近满载,NAND产能利用率亦维持高档,客户多为国际一线记忆体大厂,本波涨价效应有望直接反映在毛利率与获利,营运表现堪称族群指标。
华东以利基型记忆体封测为主,过去一年受工控与特殊应用需求调整影响较深,不过现阶段工控客户已陆续恢复下单,库存去化告一段落,需求回到正常水位以上。在整体记忆体产业迈入「景气超级循环」大环境下,华东产能利用率明显拉升,订单能见度转强,后市可期。
南茂则是此次传统DRAM市况复苏的代表受惠封测厂。法人分析,南茂的NAND产品线于营收比重相对较低,但在DRAM领域着墨甚深,目前营收结构中,DDR4约占七至八成,是支撑营运的核心产品。
(来源:经济日报)
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