北京
国家知识产权局信息显示，上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司申请一项名为“单晶硅生长装置及其制造方法”的专利，公开号CN121295326A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明涉及一种单晶硅生长装置及其制造方法。所述单晶硅生长装置包括：石墨坩埚，具有石墨容纳腔；石英坩埚，位于所述石墨容纳腔内，所述石英坩埚具有用于容纳硅熔体的石英容纳腔；石墨纸，位于所述石墨容纳腔内，且所述石墨纸分布于所述石墨容纳腔的内壁与所述石英坩埚之间。本发明减少了石英坩埚在生长单晶硅的过程中发生变形的问题，抑制了石英坩埚在高温下的过度蠕变，确保了单晶硅生长工艺顺利稳定的进行，并提升了单晶硅生长的稳定性和成功率，减少了因所述石英坩埚导致的断棱问题，并有助于提高石英坩埚的结构稳定性和使用寿命。
天眼查资料显示，上海超硅半导体股份有限公司，成立于2008年，位于上海市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本117640.3602万人民币。通过天眼查大数据分析，上海超硅半导体股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目25次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息256条，此外企业还拥有行政许可193个。
重庆超硅半导体有限公司，成立于2014年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆超硅半导体有限公司参与招投标项目21次，专利信息163条，此外企业还拥有行政许可17个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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