北京
国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“OTP器件的制造方法”的专利，公开号CN121310534A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种OTP器件的制造方法，在衬底中形成浅沟槽隔离结构之后，先形成隔离层，隔离层覆盖衬底的表面；然后，对衬底执行退火工艺，退火工艺的气体包括氮气；接着，去除隔离层，以暴露出浅沟槽隔离结构及衬底；之后，形成浮栅介质层，浮栅介质层覆盖浅沟槽隔离结构及衬底。在对衬底执行退火工艺时，隔离层可以将退火工艺中的氮气与衬底隔离，避免了衬底暴露在退火工艺的氮气气体中，从而避免了退火工艺中的氮气附着在衬底表面，在形成浮栅介质层的过程中，可以避免形成氮氧化硅，从而提高浮栅介质层的势垒高度，进而解决OTP器件的数据保持能力失效的问题。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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