北京
国家知识产权局信息显示，深圳尚阳通科技股份有限公司申请一项名为“沟槽分离栅场效应晶体管及其制造方法”的专利，公开号CN121310599A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种沟槽分离栅场效应晶体管，包括：多级阶梯沟槽结构。第一级沟槽结构包括：形成于栅极沟槽侧面的栅介质层、底部表面的第一介质层和填充的栅极导电材料层。第二级沟槽结构包括多个源极沟槽和形成于源极沟槽中的源介质层和源极导电材料层。各源极沟槽之间具有第一间隔区，所有源极沟槽和第一间隔区的宽度和小于栅极沟槽的宽度。第一间隔区的顶部和底部形成有第一和第二导电类型掺杂的第一和第二埋层，第二埋层还将两侧相邻的源极沟槽的底角包覆。栅极导电材料层连接到栅极。各源极导电材料层、第一和第二埋层都连接到源极。本发明还公开了一种沟槽分离栅场效应晶体管的制造方法。本发明能降低栅极沟槽底部的电场强度。
天眼查资料显示，深圳尚阳通科技股份有限公司，成立于2014年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5107.3257万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳尚阳通科技股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息168条，此外企业还拥有行政许可20个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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