北京
国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件和半导体器件的制造方法”的专利，公开号CN121310585A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件和半导体器件的制造方法。该半导体器件包括：半导体衬底、源极、漏极和栅极；半导体衬底中设有与源极对应的源区和与漏极对应的漏区，源区和漏区之间设有沟道区；栅极设置在沟道区之上；沟道区与栅极的连接位置中设有阶梯功函数层，阶梯功函数层包含第一功函数层、第二功函数层和第三功函数层，其中第二功函数层分别与第一功函数层的末端和第三功函数层的首端连接，且第二功函数层与第一功函数层和第三功函数层的功函数大小不一致；第一功函数层的表面高度高于源区的表面高度，第三功函数层的表面高度高于漏区的表面高度。利用本申请技术方案，能够提升栅极对沟道区域的控制能力，提升半导体器件的电学性能。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目634次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1561条，此外企业还拥有行政许可22个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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