我国光刻机从世界前列到落后世界20年，根源就四个字：造不如买？

回想中国半导体起步那会儿，真是从零开始却干劲十足。五十年代中叶，国家就把这项技术当成头等大事，科研人员埋头苦干，从基础材料入手，第一批晶体管很快就出来了。这些成果直接撑起国防计算需求。光刻机作为核心装备，早早进入视线，大家用国产零件手工调校，1965年终于搞出接触式机器，虽然比美国晚几年，但精度没掉队太多。那时候团队反复实验，积累经验，大家心里都清楚，自力更生才能站稳脚跟。

七十年代，中国光刻技术已有点底子，但规模小，更新跟不上国外节奏。国外转向更精密的接近式，我们还坚守接触式。1977年开会讨论情报收集和设备优化，参会者散会后立刻行动，启动逆向研究。1985年，分步投影机样机问世，3微米精度追平美国七八年的水平。科研者优化光学系统，测试曝光效果，花了不少工夫。当时ASML刚起步，中国本有机会借集中资源赶超，可惜思路渐渐变了。

八十年代初，中美关系缓和，美国开放部分高科技出口。中国资金吃紧，研发周期长，买现成设备的念头冒出来。光刻机这么复杂的玩意儿，涉及光学机械电子多领域，直接采购确实省心省力。结果不少项目放缓脚步，资金转向引进。像大飞机项目，首飞后没多久就暂停，转向国际合作。半导体领域类似，自主迭代慢下来，国外企业却加速整合供应链，中国差距开始拉开。

八十年代末，中国引进一批国外光刻机，生产线快速上马，短期产量上去了。但本土研发能力弱了，人才开始分流，有的转行有的出国。产业链自主化进程受阻，早年积累的优势渐渐流失。九十年代，国际形势更紧，《瓦森纳协议》出来，欧美限制中国进口先进设备，只能拿落后货色。ASML这时已垄断高端市场，中国被迫从头摸索，进度自然慢。

那些年，科研人员本该继续钻研，却因政策调整闲置下来。依赖进口看似聪明，其实埋下隐患。一旦国外卡脖子，就手足无措。半导体关乎国家命脉，芯片制造卡在光刻环节，影响多大可想而知。早期中国与世界差距小，就几年光景，后因“造不如买”心态，二十年落后成现实。那些坚持自研的老一辈，估计心里五味杂陈。

九十年代，技术封锁加剧，中国光刻研发几乎停滞。ASML整合全球资源，推出更先进机型，中国却在实验室纸上谈兵。人才流失严重，产业链断裂，本土企业缺乏市场刺激，没动力深耕。结果高端芯片制造始终受制于人，代工测试成主要角色。早年自力更生那股劲儿，如果没中断，或许局面不一样。

新世纪初，国家意识到问题，启动专项计划，重金投入半导体自研。但起点已落后太多，ASML的EUV技术占高地，中国还停在传统节点。2010年后，国际管制更严，中国加速建自主链条。光刻机滞后，直接制约芯片产业。像华为事件，就暴露痛点。那些年引进设备省了眼前麻烦，却丢了长远根基。

“造不如买”这四个字，表面省事，实际短视。早期中国光刻跟得上国际，六十年代接触式，八十年代步进式，本有机会并肩。但开放后买办思路抬头，觉得自研费力不讨好。结果技术空窗期长达十几年，人才散了，经验断了。国外封锁时，才醒悟核心技术必须自握。可惜时间不等人，差距拉到二十年。

如今中国光刻自研在追赶，电子束机型已商业化，但整体还需时日。高盛报告指出，国产机停在65纳米，落后ASML二十年。供应链依赖全球，尤其欧美零件，受限严重。想想那些科研者，多少人一生扑在上面，却因决策转折半途而废。半导体事关国防经济，这教训深刻。