国家知识产权局信息显示,中茵微电子(南京)有限公司申请一项名为“一种基于零延迟FIFO控制的HBM PHY测试芯片电路及方法”的专利,公开号CN121306228A,申请日期为2025年10月。
专利摘要显示,本发明的目的是提供一种基于零延迟FIFO控制的HBM PHY测试芯片电路及方法,该电路包括:命令控制通道模块、写通道模块和读通道模块;所述命令控制通道模块通过命令控制通道接口与HBM PHY连接,用于存储控制信息;所述写通道模块通过写通道接口与HBM PHY连接,用于检测写数据使能,若有写数据使能,控制逻辑读取写通道模块里面的数据出来送到写通道接口;所述读通道模块通过读通道接口与HBM PHY连接,用于检测读有效数据,将读有效数据与正确数据进行比较,若读有效数据与正确数据不一致,则会把读有效数据写入到读数据。本发明能发出任意数据、指令的小型的存储控制器,配合相应的自动比对功能,数据存储等功能。
天眼查资料显示,中茵微电子(南京)有限公司,成立于2021年,位于北京市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1466.8176万人民币。通过天眼查大数据分析,中茵微电子(南京)有限公司共对外投资了7家企业,参与招投标项目21次,财产线索方面有商标信息2条,专利信息76条,此外企业还拥有行政许可17个。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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