北京
国家知识产权局信息显示，中茵微电子（南京）有限公司申请一项名为“一种基于零延迟FIFO控制的HBM PHY测试芯片电路及方法”的专利，公开号CN121306228A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明的目的是提供一种基于零延迟FIFO控制的HBM PHY测试芯片电路及方法，该电路包括：命令控制通道模块、写通道模块和读通道模块；所述命令控制通道模块通过命令控制通道接口与HBM PHY连接，用于存储控制信息；所述写通道模块通过写通道接口与HBM PHY连接，用于检测写数据使能，若有写数据使能，控制逻辑读取写通道模块里面的数据出来送到写通道接口；所述读通道模块通过读通道接口与HBM PHY连接，用于检测读有效数据，将读有效数据与正确数据进行比较，若读有效数据与正确数据不一致，则会把读有效数据写入到读数据。本发明能发出任意数据、指令的小型的存储控制器，配合相应的自动比对功能，数据存储等功能。
天眼查资料显示，中茵微电子（南京）有限公司，成立于2021年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1466.8176万人民币。通过天眼查大数据分析，中茵微电子（南京）有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息76条，此外企业还拥有行政许可17个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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