北京
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国家知识产权局信息显示，思科特利肯股份有限公司申请一项名为“含金属-硅薄膜形成用前驱体、利用所述前驱体的薄膜沉积方法以及包含所述薄膜的半导体器件”的专利，公开号CN121285563A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本发明涉及一种用于形成含金属‑硅薄膜的薄膜形成用前驱体、利用所述前驱体的薄膜沉积方法以及包括所述薄膜的半导体器件，包含以化学式1表示的挥发性较高、在常温下处于液态且热稳定性较高的新型化学结构的有机金属化合物，从而可以通过如化学气相沉积法（MOCVD）或原子层沉积（ALD）等薄膜形成工程形成优秀的含金属‑硅薄膜。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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