国家知识产权局信息显示,物联记忆体科技股份有限公司申请一项名为“非挥发性存储器元件和其制造方法”的专利,公开号CN121284963A,申请日期为2025年6月。
专利摘要显示,本发明公开一种非挥发性存储器元件及其制造方法,制造方法包括在基板上形成两个叠层结构,且在叠层结构之间形成一个间隙;形成覆盖两个叠层结构且填充该间隙的浮置闸极层,所述浮置闸极层包含凹陷区;将第一遮罩层填充至凹陷区;去除部分第一遮罩层,以在凹陷区形成第一遮罩;去除部分浮置闸极层,以保留位于间隙内的浮置闸极层,浮置闸极层的顶面与第一遮罩在侧向上分离;在第一遮罩的覆盖下,将浮置闸极层的顶面转换成第二遮罩;去除凹陷区内的第一遮罩;并以第二遮罩作为蚀刻遮罩,蚀刻浮置闸极层。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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