北京
分享至
国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121284952A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明的实施例提供半导体结构，半导体结构包括设置在基板上的金属层、设置在金属层上的第一介电层、设置在第一介电层上的第二介电层、设置于金属层上且位于第一介电层的金属层及第二介电层中的多个电容器、及设置于金属层上且位于第一介电层、第二介电层及第一绝缘层中的触点。触点的顶表面与第一绝缘层的顶表面共平面。此外，本发明也揭露一种制造半导体结构的方法。本发明提供一种在基板上一步形成触点的半导体结构及其制造方法，以使触点上没有其他触点的干扰，进而降低半导体结构的RC值。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
