科创芯片设计ETF(588780)冲击3连涨，存储芯片涨价潮席卷全球市场，超级周期全面开启

截至2026年1月7日14:08，科创芯片设计ETF(588780)上涨0.81%，冲击3连涨，盘中换手14.96%，成交1.10亿元，市场交投活跃。成分股纳芯微上涨10.53%，普冉股份上涨10.51%，聚辰股份上涨10.50%，联芸科技上涨8.16%，龙迅股份上涨7.38%。

全球存储芯片涨价潮正愈演愈烈，行业迎来“量价齐升”的超级周期。三星、SK海力士已明确通知客户，2026年一季度服务器DRAM价格将较上季度暴涨60%-70%。业内认为，此轮涨价核心源于供需深度失衡：AI算力需求爆发成为关键推手，北美四大云厂2026年AI基建投资预计达6000亿美元，AI服务器单机内存需求是普通服务器的8-10倍，HBM（高带宽内存）出货量更是暴增3倍。

国内方面，国内存储龙头长鑫科技近日IPO获受理，拟募资295亿元投向技改与研发，计划2027年底前完成大部分设备导入。作为我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业，长鑫科技填补了中国DRAM产业的空白。

兴业证券认为，AI浪潮正推动算力需求爆发，带动服务器、AI芯片、光芯片、存储、PCB板等硬件环节价值量显著提升。

该机构指出，内存芯片价格大幅上涨，DDR416Gb模块价格飙升1800%，存储供需失衡或延续至2026年。硅晶圆市场复苏，300毫米需求驱动增长，预计2025年出货量增5%。国产DRAM产业进入新阶段，长鑫科技科创板IPO拟募资295亿元。先进工艺扩产成为自主可控主线，CoWoS及HBM卡位AI趋势，先进封装重要性凸显。被动元件、数字SoC、射频、存储、封测等领域呈现复苏趋势，封测环节稼动率回升并受益于AI芯片带动的先进封装需求。

科创芯片设计ETF(588780)紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，上证科创板芯片设计主题指数选取科创板内业务涉及芯片设计领域的上市公司证券作为指数样本，以反映科创板芯片设计领域上市公司证券的整体表现。

科创芯片设计ETF(588780)具备20%涨跌幅的弹性收益，跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业，芯片设计行业占比高达96.1%，“含芯量”满满，瞄准半导体高景气度细分赛道，成长空间可期。

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