存储芯片涨价潮席卷全球，国产半导体设备迎历史性机遇

来源：第一财经

在全球存储芯片供应持续紧张、价格飙升的背景下，A股半导体设备板块迎来强势上涨。2026年1月6日，北方华创（002371.SZ）、拓荆科技（688072.SH）、中科飞测（688361.SH）等设备龙头股盘中集体刷新历史新高，市场资金积极涌入。这一行情直接受到行业涨价信号的刺激，有消息称，三星电子与SK海力士计划在2026年第一季度将服务器DRAM（动态随机存取存储器）价格较上一季度提升60%~70%。

2026年伊始，这轮自2024年末以来的存储涨价潮没有丝毫放缓的迹象，主要系人工智能服务器需求的爆发导致先进制程产能向HBM（高带宽存储器）等高端应用倾斜，挤压了其他市场的供给，引发全行业价格快速上涨。

在此轮全球存储大周期中，国内存储龙头长鑫科技近日IPO获受理，拟募资295亿元投向技改与研发，计划2027年底前完成大部分设备导入。其产能爬坡与技术追赶，被视为拉动国产设备与材料环节需求的关键力量。行业高景气延续之际，市场普遍预期，存储涨价周期叠加国内存储厂商扩产提速，国产半导体设备板块将率先受益，业绩确定性凸显。

AI需求引爆存储大周期

全球存储芯片市场正经历前所未有的价格暴涨周期，涨价的核心驱动在于人工智能浪潮带来的结构性供需失衡。根据TrendForce调查，2026年第一季度，DRAM原厂将大规模转移先进制程产能至服务器与HBM应用，以满足AI服务器的强劲需求，导致消费电子、移动设备等领域的通用型DRAM供给严重紧缩。

受持续短缺和供应链调整的影响，自2024年底以来，部分内存模组现货价格涨幅已达惊人水平，其中DDR4 16Gb模块价格甚至在一年内飙升约1800%，创下近年内存市场最大涨幅纪录，并且截至目前，存储涨价势头仍看不到丝毫缓和的迹象。

有消息称，海外巨头三星和SK海力士计划在2026年第一季度将服务器DRAM价格较2025年第四季度提升60%~70%。

涨价预期下，资本市场大力追捧存储原厂，三星1月以来涨超15%，续创历史新高，2025年以来已经涨超160%；SK海力士1月以来涨逾11%，距离刷新历史高点只差6%。

A股市场同步演绎存储行情。1月6日，存储器指数强势拉升，成份股中普冉股份（688766.SH）、恒烁股份（688416.SH）、北京君正（300223.SZ）、兆易创新（603986.SH）等多股涨幅居前，半导体设备跟涨，北方华创、拓荆科技、中科飞测等股盘中创历史新高，金海通（603061.SH）收盘涨停创历史新高。

多家机构在近期研报中指出，国产半导体设备与材料企业将直接受益于国内存储原厂的高稼动率与持续扩产计划，尤其在前道制程、量测、清洗、CMP等环节已实现突破的企业，订单能见度正在提升，因此被视为此轮存储大周期的先行受益板块，伴随需求持续释放，原厂扩产都必须率先采购设备，设备企业的业绩能见度较高，成为资金在产业周期早期重点布局的方向。

存储上行周期，国产链迎历史机遇

随着海外原厂将资本开支倾斜于HBM为代表的高端存储产品，传统存储的供需缺口具有持续性，因此国内存储厂商扩产的紧迫性不断上升，国内存储产业正迎来关键发展窗口。

日前，最受市场关注的是长鑫科技IPO进展，该公司作为全球第四大DRAM原厂，在本轮行业上行周期中业绩显著改善，2025年营收预计达550亿~580亿元，第四季度毛利率有望突破40%，并可能在2026年实现扭亏为盈。目前，长鑫拥有合肥与北京三座12英寸晶圆厂，预计2026年全部达产，产品已覆盖DDR5、LPDDR5X等主流技术平台。

尤其值得关注的是长鑫科技募投计划，公司拟募集资金295亿元，主要用于三方面：量产线技改、DRAM技术升级及前瞻技术研发。其中，量产线技改项目将投入75亿元，逐步向中高端产品切换工艺，并同步推动本土设备、材料、零部件的合作，设备购置安装费用约46.66亿元；DRAM技术升级项目总投资180亿元，设备购置安装占174亿元，计划2025年第四季度启动采购，2026至2027年分批完成设备搬入。这些项目大部分设备导入预计在2027年底前完成，2028年上半年进行验收。

“3D NAND堆叠与DRAM技术迭代，使得刻蚀、薄膜沉积设备等核心设备的使用量和价值量大幅提升。”一位TMT行业人士对记者说，“特别是在设备与材料环节，随着龙头企业的产能规模提升与技术迭代，本土具备卡位优势的厂商将迎来订单放量机会，国产替代进程将在存储领域进一步提速。”