北京
国家知识产权局信息显示，洪启集成电路（珠海）有限公司申请一项名为“基于深度适配的二次离子质谱曲线数据组分分析方法”的专利，公开号CN121253587A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明涉材料表面分析技术领域，提供基于深度适配的二次离子质谱曲线数据组分分析方法，包括S100、导入至少两条SIMS曲线，获取每条SIMS曲线的深度值d和RSF参数，以及深度值d对应的离子强度值I；S200、获取每条SIMS曲线的深度边界，确定全局深度边界；S300、将每条SIMS曲线扩展到具有相同的全局深度边界；S400、针对目标SIMS曲线上的任意一个目标深度点，获取其对应的离子强度值；S500、应用浓度公式计算目标SIMS曲线各深度值对应的组分浓度。本申请提供的方法，不受场景限制，对不具有相同深度范围，不具有相同采样间隔的曲线都能进行组分浓度计算。同时，对于不同深度范围的曲线，不用截断曲线至最短范围，可以有效利用曲线的所有信息，得到更完整的元素组分浓度。
天眼查资料显示，洪启集成电路（珠海）有限公司，成立于2019年，位于珠海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本142.7452万人民币。通过天眼查大数据分析，洪启集成电路（珠海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息27条，此外企业还拥有行政许可22个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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