台积电悄悄开干，三星英特尔急追，全球芯片格局要变天

台积电没有举办发布会，也没有发布新闻稿，只是在官网上更新了一行字，说2nm工艺将在2025年第四季度开始量产，这件事如果放在别的公司身上，可能会大张旗鼓地宣传，但台积电低调得几乎没人注意到，工厂选在高雄和新竹两个地方同时开工，一边生产手机芯片，一边制造AI芯片，这种双线并进的做法以前很少见到，可以推测台积电心里有底，才会这样安排。

这次使用的GAA纳米片晶体管，不再采用之前的FinFET结构，简单来说，就是把原来竖着放的“鳍”改成了横着堆叠的“薄片”，栅极能够从四面八方控制电流，漏电现象减少了，功耗也跟着降低，和上一代N3E相比，密度提升了20%，供电更稳定，还加入了一个叫SHPMIM的东西，电容容量变成原来的两倍，电阻反而减少一半，这种技术听起来有点复杂，但实际用起来确实更省电、更稳定，苹果和英伟达这类大公司肯定会愿意采用。

他们改变过去的方式，没有先用手机芯片练手再慢慢扩大，而是让手机芯片和AI芯片同时进入生产线，这个压力很大，因为手机芯片出货量达到上亿，AI芯片又特别复杂，如果良率跟不上，订单就会失败，但他们敢这样做，说明对自家工艺很有把握，我觉得他们在赌未来，手机是现在的基础，AI才是十年后的增长动力，不能只守着一个地方。

接下来还有N2P和A16两个版本，N2P是N2的优化版，计划在2026年下半年推出，性能更强大、功耗也更低，A16则更为突出，专门为AI芯片设计，采用了背面供电技术，将电源线路从芯片背面走线，从而避开正面布线拥堵的问题，这个设计很聪明，因为AI芯片通常包含几百亿个晶体管，供电跟不上就没法正常运行，台积电这一步走得准，算是提前卡位了。

三星在2022年声称自己已经完成3nm GAA工艺，抢下全球首发这个称号，但实际使用中性能没有超过台积电的N3工艺，节点名称还让人感觉混乱，英特尔这边也动作不断，他们的Intel 18A工艺快要投入量产，采用RibbonFET和背面供电技术，还在2025年10月展示了基于18A的处理器样品，英特尔希望通过架构创新重新崛起，不过代工这条路并不好走，客户生态相比台积电还有差距。

这一波2纳米工艺量产，不只是数字上的进步，而是整个晶体管结构的一次大换血，过去摩尔定律还能靠缩小尺寸勉强维持，现在物理极限已经到来，只能改变结构，台积电这次成为第一家大规模应用GAA技术的厂商，等于为整个行业树立了榜样，以后AI训练、手机算力、边缘计算都要依赖这个基础，制造能力越来越重要，设计公司再厉害，也得看晶圆厂的脸色。

我总觉得芯片行业越来越像在拼基础设施建设，谁家的工厂稳定、良品率高、技术新，谁就掌握话语权，苹果和高通这类设计公司虽然实力强，但真正决定产品能否量产、卖得好的，还是台积电这样的制造巨头，现在英特尔也想回头做代工业务，说明大家意识到光有设计不够，必须得有硬实力的制造能力，这场竞赛才刚进入下半场。