北京
国家知识产权局信息显示，云南驰宏国际锗业有限公司申请一项名为“一种大尺寸高性能单晶的制备方法”的专利，公开号CN121250528A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种大尺寸高性能单晶的制备方法，包括：至少包括如下步骤：S1：物料准备与熔融、S2：引晶与细颈、S3：放肩：细颈完成后进行梯度放肩、S4：转肩、S5：等径：梯度加压等径、S6：收尾、S7：退火：对炉内晶体进行两级退火处理；本申请通过梯度放肩的温度分段调控，解决传统工艺中通过温度‑拉速耦合控制失准易导致断棱、位错增殖等问题，大大提升了在晶体制备过程中的放肩成功率。本发明通过对三个不同阶段的控温系统性地解决了现有技术中温度失稳问题并提升了整体晶体质量。
天眼查资料显示，云南驰宏国际锗业有限公司，成立于2018年，位于曲靖市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，云南驰宏国际锗业有限公司参与招投标项目1674次，专利信息190条，此外企业还拥有行政许可30个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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