北京
国家知识产权局信息显示，苏州镓港半导体有限公司申请一项名为“一种基于GaN HEMT的可控电压调节器以及制作方法”的专利，公开号CN121262848A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明属于电力电子技术领域，具体涉及一种基于GaN HEMT的可控电压调节器以及制作方法，包括以下步骤：S1：预处理，提供衬底并对所述衬底进行清洗；S2：生长HEMT外延结构，在所述衬底上生长HEMT外延结构，所述外延层包括依次形成的成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；S3：台面刻蚀隔离，对所述HEMT外延结构进行台面刻蚀，形成有源区隔离；S4：欧姆接触制备，在所述势垒层上光刻并制备Vin端、Vout端和GND端欧姆接触电极；S5：介质层生长，在器件表面利用原子层沉积或者化学气相沉积生长一层介质层。本发明能够有效解决线性电压调节器由于引脚、PCB布局和导线中的寄生电阻和电感导致的导线熔断风险和额外的功耗。
天眼查资料显示，苏州镓港半导体有限公司，成立于2019年，位于苏州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州镓港半导体有限公司参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息27条，此外企业还拥有行政许可9个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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