韩国基准股指新年“开门红”：三星、SK海力士双双创新高

转自：财联社

财联社1月2日讯（编辑 周子意）周五（1月2日），韩国基准股指Kospi在其2026年首个交易日中首次突破4,300点关口，收盘创历史新高，而这主要由大型半导体股的强劲上涨所牵引。

基准韩国综合股价指数（KOSPI）收涨2.27%于4,309.63点，首次突破4,300点关口，并打破去年11月3日创下的上一个高点4221.87点；韩国创业板指数（KOSDAQ）也收于945.57，上涨2.17%。

当日，外资净买入约6300亿韩元，引领上涨趋势；相比之下，个人和机构投资者分别净售出约4500亿和2300亿韩元。

交易态势偏积极

强劲的出口似乎缓解了近期美国股市疲软带来的压力。韩国政府1月1日公布的数据显示，2025年该国出口达到历史新高7097亿美元，首次突破7000亿美元的里程碑，这得益于人工智能和半导体产业的增长。

元大证券分析师Kim Yong-gu指出，“在全球经济增长、销售和盈利的良性循环，以及政府全力刺激经济和股市的背景下，预计KOSPI股指将呈中性至积极的交易态势。”

另有分析指出，一月份股市的表现可以作为全年趋势的衡量标准，新年首个交易日KOSPI指数强劲的上涨提升了投资者对今年市场的预期。

韩国头部综合金融机构韩华证券研究员Kim Soo-yeon就表示，“自2013年以来对26个行业的分析显示，1月上涨的板块在全年上涨的概率约为60%。

科技板块活跃

从成分股表现来看，大型科技股带领了指数的上涨，投资者也在押注人工智能带来的持续作用力。

周五，市场风向标三星电子飙升7.17%，至128,500韩元；芯片巨头SK海力士上涨3.99%，至67.7万韩元。值得一提的是，这两家芯片巨头双双创下历史新高。

目前，这两家公司正在人工智能芯片市场展开激烈竞争。在10月举行的2025半导体展览会上，两家公司分别展示了各自研发的下一代高带宽内存HBM4芯片，表明了引领半导体行业的信心。

目前市场仍由第五代HBM3E芯片主导，但业内观察人士预计，HBM4将在明年成为一个主要因素，因为英伟达计划在其下一代AI加速器Rubin中使用它。

上月，有报道称，三星计划于2026年2月启动HBM4芯片的大规模量产，SK海力士也将在相近时间开启量产进程，此举标志着全球内存半导体产业迈入一个全新阶段。

值得一提的是，三星电子联席首席执行官兼芯片主管Jun Young-hyun在新年致辞中表示，三星HBM4的差异化竞争力得到了客户的一致好评，并宣告“三星回来了”。

Counterpoint Research的数据显示，在2025年第三季度，SK海力士占据了HBM市场53%的份额；三星紧随其后，占35%；美光占11%。

（财联社 周子意）