北京
国家知识产权局信息显示，派德芯能半导体（上海）有限公司申请一项名为“IGBT单管”的专利，公开号CN121237788A，申请日期为2024年4月。
专利摘要显示，本发明公开了一种IGBT单管，包括下基板、上基板、一个或多个IGBT芯片、一个或多个FRD芯片、一个或多个电连接件和引脚。上基板层叠于下基板的上方，IGBT芯片设于上基板内且下表面与下基板的上表面连接，FRD芯片设于上基板内且位于IGBT芯片的上方。电连接件设于上基板内且位于IGBT芯片和FRD芯片之间，每个电连接件分别与IGBT芯片和FRD芯片连接，引脚与下基板连接。本发明实施方式中的IGBT单管，将其各个元件分层设置，增加了竖向和横向上的散热面积，提高了散热效率。
天眼查资料显示，派德芯能半导体（上海）有限公司，成立于2023年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2040万人民币。通过天眼查大数据分析，派德芯能半导体（上海）有限公司共对外投资了2家企业，财产线索方面有商标信息2条，专利信息16条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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