北京
国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“EEPROM存储单元、形成方法及EEPROM器件”的专利，公开号CN121240445A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供了一种EEPROM存储单元，包括：均沿着Y方向分布并沿着X方向延伸的两个第一有源区和两个第二有源区；两个浮栅，均包括第一浮栅部和第二浮栅部，第一浮栅部位于第一有源区的表面并沿着X方向延伸，位于第二有源区的表面；一个字线和一个选择栅，字线包括第一字线部和第二字线部，第一字线部沿着Y方向延伸，选择栅包括第一选择栅部和第二选择栅部，第一选择栅部沿着Y方向延伸，第一字线部和第一选择栅部均跨接在两个第二有源区上；第一字线部呈台阶形状，包括第一水平部、第二水平部以及连接第一水平部和第二水平部的竖直连接部，第二水平部位于第一浮栅部的正上方。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目929次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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