中国光刻机历史性突破，ASML担忧成真

这波长正好是当下DUV光刻机的心跳点，全球主流设备都靠它来刻芯片图案。

消息一出，半导体圈子立刻热闹起来，大家都知道，这套激光不用氩氟气体混合，不用高压电场激发稀有气体分子，彻底换了条路子。

以前ASML、佳能、尼康这些巨头，全靠准分子激光，功率高到上百瓦，频率也飙到8-9千赫，可维护麻烦，能耗大，还得定期换气。

中国这套方案用Yb:YAG晶体放大1030纳米光，再分两条路：一条四次谐波变258纳米，另一条光学参量放大出1553纳米，最后在级联硼酸锂晶体里混成193纳米。

平均功率虽只有70毫瓦，重复频率6千赫，但线宽窄到880兆赫以下，光谱纯度已经跟商用水平挨得很近。

这个突破不是突然冒出来的惊喜，而是实验室里日复一日调参数攒出来的。团队从1030纳米起步，先把光分成两路走不同转换，再小心翼翼地把两束光合起来。

过程中还加了螺旋相位板，把1553纳米光变成带轨道角动量的涡旋光束，成功把涡旋特性带到193纳米处，这是全球第一次在固态激光里做到这一步。

涡旋光束对种子混合准分子激光器很有价值，未来在半导体缺陷检测等领域可能用得上。

相比传统气体激光，这套固态系统体积小得多，结构简单，省了稀有气体依赖，能耗也低一大截，环保又省心。

这一技术突破或对全球光刻机光源市场格局产生影响。

ASML家 DUV 机型在中国市场卖得火热，可一旦中国自产光源成熟，客户转向自家方案的日子就不远了。传统准分子激光体积大、维护复杂，中国固态方案正好戳中痛点。

虽说现在功率和频率还差得远，离真正上产线高吞吐量还有距离，但光谱纯度已经追上商用水准，这一步就够让人看到希望。

全球半导体供应链里，193 纳米是 7 纳米及以上成熟制程的支柱，中国这条新路等于在光源环节开了自家门。

后续迭代如果把功率冲上去，产业链补齐光学系统和精密部件，先进制程自给就不是空谈。ASML的垄断地位，本来靠专利和供应链护着，现在多了一道隐忧。

这条技术路走得不容易。过去几十年，中国在光刻机上吃过太多苦头，从早期靠进口二手设备，到后来被层层管制，只能自己闷头干。

上海微电子2002年出90纳米投影机时，大家觉得总算有个起步，可再往前走就卡壳了。国家后来把半导体当成头等大事，资金、人才、政策全往里砸，中科院、哈工大这些单位埋头攻关。

固态DUV这条线，从红外光源起步，一步步往紫外推，材料、晶体、转换效率，每关都得反复啃。哈工大在极紫外方向也攒了不少进展，两条腿走路，慢慢把差距拉近。

这次193纳米固态激光出来，很多人感慨，封锁越狠，自研的劲头反而越大。

现在看，这套光源还在实验室优化阶段，功率要继续往上提，频率也得跟上，离整机集成还有好几道坎。光学匹配、稳定性、量产流程，都得一步步过。

可好消息是，国内晶体材料和精密加工这些配套环节已经在加速补链。未来如果真把功率频率追平，成熟制程实现自给，先进节点也多出备选路径。

ASML的日子恐怕真不好过了，全球半导体市场靠技术垄断吃饭的格局，可能要被撼动。

中国这条路走得苦，每一步都踩实了，科研人员这些年守着仪器熬夜的日子，换来了今天这一束光。路还长，但至少现在，大家已经能跟顶尖玩家面对面掰手腕了。