扬杰科技申请IGBT器件相关专利，降低IGBT导通电压，兼顾低损耗与高耐压

来源：新浪证券-红岸工作室

12月30日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种降低沟槽底部电场集中的IGBT器件及制备方法”的专利。申请公布号为CN121240474A，申请号为CN202511407464.9，申请公布日期为2025年12月30日，申请日期为2025年9月29日，发明人龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅，专利代理机构扬州市苏为知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师郭翔，分类号H10D12/00、H10D64/27、H10D62/10、H10D12/01。

专利摘要显示，一种降低沟槽底部电场集中的IGBT器件及制备方法。涉及半导体技术领域。本发明栅极区上窄下宽的结构在保证垂直导电通道有效性的同时，减少电流导通路径上的电阻，结合高单元密度的沟槽结构优势，进一步降低器件的导通电压，提升导电效率。P+区与N+区的合理布局、栅极区电场分布的优化，协同改善器件的整体电场分布，避免局部电场过高导致的击穿电压下降问题，在降低导通电压的同时，保障器件具有较高的击穿电压，实现低导通损耗与高耐压性能的兼顾，满足大、中功率应用场景对器件性能的严苛需求。

扬杰科技成立于2006年8月2日，于2014年1月23日在深圳证券交易所上市，注册地址和办公地址均位于江苏省扬州市。该公司是国内功率半导体领先企业，专注功率半导体芯片及器件制造等业务，技术实力强。

扬杰科技主营业务为集研发、生产、销售于一体，专注于功率半导体硅片、芯片及器件制造、集成电路封装测试等中高端领域，所属申万行业为电子 - 半导体 - 分立器件，涉及比亚迪概念、融资融券、机器人概念等板块。

2025年三季度，扬杰科技营业收入达53.48亿元，在行业18家公司中排名第3，高于行业平均数33.04亿元和中位数9.73亿元，与第一名闻泰科技的297.69亿元、第二名士兰微的97.13亿元有一定差距。净利润方面，当期为9.65亿元，行业排名第2，仅次于闻泰科技的15.05亿元，远高于行业平均数2.23亿元和中位数6471.38万元。

扬州扬杰电子科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种分裂栅结构的IGBT器件及制备方法发明专利公布CN202511407480.82025-09-29CN120980899A2025-11-18龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅2一种高稳定性沟槽型IGBT器件及制备方法发明专利公布CN202511407472.32025-09-29CN121152230A2025-12-16龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅3一种降低沟槽底部电场集中的IGBT器件及制备方法发明专利公布CN202511407464.92025-09-29CN121240474A2025-12-30龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅4一种高功率密度三极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511209188.52025-08-27CN120857527A2025-10-28代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅5一种高集电极电流三极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511207926.22025-08-27CN120916450A2025-11-07代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅6一种高EAS能力的三极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511208008.12025-08-27CN120916452A2025-11-07代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅7一种高频和高增益三极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511207991.52025-08-27CN120916451A2025-11-07代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅8一种高电流密度三极管及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511207877.22025-08-27CN121057236A2025-12-02代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅9一种便捷式旁路保护器件的加工方法发明专利公布CN202511154480.12025-08-18CN121017690A2025-11-28李广源、梁欣源、陈润生、王毅10一种适用于光伏轴向二极管一贯机及其使用方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511145062.62025-08-15CN121011539A2025-11-25徐超、司天平、陈润生、王毅11一种新型二极管金属线键合塑封一体机发明专利实质审查的生效、公布CN202510879767.42025-06-27CN120690730A2025-09-23耿印、王毅12一种半导体塑封模具异物检测机构及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510842518.82025-06-23CN120645350A2025-09-16刁卫斌、王毅13一种二极管外观检测装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510826492.82025-06-19CN120539278A2025-08-26耿印、王毅14一种抑制塑封分层的半包封框架及封装结构发明专利实质审查的生效、公布CN202510793665.02025-06-13CN120637356A2025-09-12代书雨、徐雅超、王玉林、张敏、王毅15一种改进半导体器件饱和压降的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510613311.32025-05-13CN120417408A2025-08-01龚闯、赵晓非、张晓勇、杨成祎、姚旭、王毅16单轴划片机释放应力减少崩边崩角的划片方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510148616.12025-02-11CN119704417A2025-03-28王鑫、王毅17一种FRED半导体器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510126905.12025-01-27CN119947137A2025-05-06崔龙、王毅18一种横向IGBT及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996035.52024-12-31CN119730275A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅19一种横向平面栅IGBT及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996030.22024-12-31CN119730274A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅20一种横向RC-IGBT及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996027.02024-12-31CN119730273A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅21一种自带续流二极管的平面栅IGBT及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996043.X2024-12-31CN119730277A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅22一种自带续流能力的IGBT及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996042.52024-12-31CN119730276A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅23自动防卡料管装上料装置实用新型授权CN202423295438.52024-12-31CN223547013U2025-11-14李伟贞、殷宪虎、王毅24整流桥周转管打塞装置实用新型授权CN202423295423.92024-12-31CN223574783U2025-11-21张杰、徐俊、殷宪虎、王毅25整流桥平整度检测装置实用新型授权CN202423266959.82024-12-30CN223551060U2025-11-14雍鑫、徐俊、王毅26框架镜像检测平台实用新型授权CN202423266953.02024-12-30CN223711466U2025-12-23沈青青、徐俊、王毅27一种增强栅氧可靠性的SiCMOSFET器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411950010.12024-12-27CN119743969A2025-04-01王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅28一种减小漏电的SiCSBD二极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411955197.42024-12-27CN119789443A2025-04-08王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅29具有P型掩蔽层的多晶硅沟槽SiC二极管实用新型授权CN202423253084.82024-12-27CN223652616U2025-12-09王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅30具有L型栅氧结构的SiC MOSFET器件实用新型授权CN202423247744.12024-12-27CN223652617U2025-12-09王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅31整流桥防反治具实用新型授权CN202423192234.92024-12-24CN223665429U2025-12-12金超、徐俊、王毅32一种集成SBD的SiCMOSFET器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411854926.72024-12-17CN119584574A2025-03-07王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅33一种晶圆加工用吸附装置实用新型授权CN202423106298.22024-12-17CN223566605U2025-11-18唐红梅、张晓勇、王毅34具有高续流能力的SIC MOSFET器件实用新型授权CN202423106302.52024-12-17CN223584622U2025-11-21王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅35一种晶圆加工定位切割装置实用新型授权CN202423106293.X2024-12-17CN223589763U2025-11-25唐红梅、张晓勇、王毅36一种肖特基二极管Ni势垒层正面金属去除方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411846769.52024-12-16CN119581321A2025-03-07苏朕、尹鑫德、王毅37一种回流焊自动下料生产线发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411839636.52024-12-13CN119542220B2025-10-10田宇尧、王帅、赵彬、禹辰晖、朱陶圆、王毅38码垛型铜框架料篮实用新型授权CN202423084013.X2024-12-13CN223421179U2025-10-10田宇尧、王帅、赵彬、禹辰晖、朱陶圆、王毅39一种回流焊自动下料生产线发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411839636.52024-12-13CN119542220B2025-10-10田宇尧、王帅、赵彬、禹辰晖、朱陶圆、王毅40料篮自动码垛装置实用新型授权CN202423084021.42024-12-13CN223421890U2025-10-10田宇尧、王帅、赵彬、禹辰晖、朱陶圆、王毅41一种晶圆加工用涂胶装置实用新型授权CN202423084010.62024-12-13CN223436191U2025-10-14唐红梅、张晓勇、王毅42铜框架夹装机械手实用新型授权CN202423084026.72024-12-13CN223477676U2025-10-28田宇尧、王帅、赵彬、禹辰晖、朱陶圆、王毅43改善D-Poly膜厚均匀性的散流板实用新型授权CN202423084006.X2024-12-13CN223612375U2025-11-28刘菲、邹威、王毅44回流焊下料装置实用新型授权CN202423084032.22024-12-13CN223642924U2025-12-09田宇尧、王帅、赵彬、禹辰晖、朱陶圆、王毅45一种超低VF平面肖特基二极管的加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411754310.22024-12-02CN119300369A2025-01-10孙培、王毅46一种降低短路电流的SiC器件及制备方法发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202411544390.92024-10-31CN119421440A2025-02-11王正、杨程、裘俊庆、万胜堂、王坤、王毅47一种具备沟槽栅氧保护结的SiC器件及制备方法发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202411544383.92024-10-31CN119421439A2025-02-11王正、杨程、裘俊庆、万胜堂、王坤、王毅48一种提高短路鲁棒性的SiCMOSFET及制备方法发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202411544376.92024-10-31CN119421438A2025-02-11王正、杨程、裘俊庆、万胜堂、王坤、王毅49一种终端欧姆接触间隔排布的SiC器件及制备方法发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202411544375.42024-10-31CN119421437A2025-02-11王正、杨程、裘俊庆、万胜堂、王坤、王毅50一种集成JBS的SiC场效应晶体管器件及制备方法发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202411544372.02024-10-31CN119421436A2025-02-11王正、杨程、裘俊庆、万胜堂、王坤、王毅

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