北京
国家知识产权局信息显示，苏州清煜半导体科技有限公司申请一项名为“基于行星旋转的多籽晶碳化硅液相生长方法、装置及系统”的专利，公开号CN121228346A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请提供一种基于行星旋转的多籽晶碳化硅液相生长方法、装置及系统，液相生长方法包括前置准备阶段、第一生长阶段和第二生长阶段。前置准备阶段包括将籽晶承载部通过斜面承载离轴籽晶，斜面的法线方向与籽晶承载部的轴线方向所形成的夹角匹配离轴籽晶的离轴角。第一生长阶段包括：驱动多个离轴籽晶围绕公转中心进行公转，同时抑制多个离轴籽晶围绕其自身轴线的自转，多个离轴籽晶的生长界面与熔体的流场保持反平行状态，离轴籽晶生长形成晶体。第二生长阶段包括：晶体的生长界面由离轴取向转变为正轴取向后，停止驱动多个晶体围绕公转中心进行的公转，转而驱动晶体绕其自身轴线进行自转，直至获得目标厚度的多个碳化硅晶锭。
天眼查资料显示，苏州清煜半导体科技有限公司，成立于2025年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1222.2223万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州清煜半导体科技有限公司共对外投资了2家企业，专利信息45条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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