IT之家 12 月 29 日消息,根据台媒 UNIKO's Hardware 的发现,三星半导体官网的 DRAM / DDR 页面现已列出多款处于“样品”生产状态的 DDR5 内存颗粒新品。
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这其中 78 FBGA 封装的 PDRQL8KCBF12-00 和 102 FBGA 封装的 PDRQLAKCDF12-00 均在 1.1V 的 JEDEC 工作电压下支持 7200Mbps 的速率,相较此前 6400Mbps 的速率进一步提升。
IT之家注意到,英特尔 Panther Lake 处理器的 16c (4P + 8E + 4LPE) 4Xe 配置确认支持 7200MT/s 的 DDR5 SO-DIMM,Arrow Lake S Refresh 预计也将支持 7200MT/s DDR5 CUDIMM,而 SK 海力士的 7200Mbps (7200MT/s) 级产品也已可在市场见到。
同样值得一提的是,至少从 DDR2 时期开始,三星的 DDR 颗粒料号命名均以 "K4" 为开头(分别代表三星存储器业务和 DRAM),而四款处于样品阶段的芯片则并未遵循这一传统格式。
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