芯片散热用高结构强度均温板企业仲德科技获得数千万A轮融资，为量产交付做准备

近日，全球首款商业应用的高结构强度均温板（Vapor Chamber，以下简称VC）研发企业中山市仲德科技有限公司（以下简称“仲德科技”）完成数千万元A轮融资。本轮融资主要用于扩大产能，以应对2026年批量交付订单的需求。

仲德科技专注于 高结构强度VC研发与生产企业，为AI芯片端到数据中心服务器端，提供从芯片封装级到系统级热管理解决方案的公司。公司现有两大产品系列，第一是应用于芯片先进封装层面，替代传统封装盖板的均温盖板（VC-Lid）及均温微流道液冷盖板（VC-MLCP-Lid）；第二是应用于散热模组级，是风冷散热模组（以及未来拓展液冷模组）的核心部件，负责更高效传导热的HSS VC。

2025年，全球人工智能算力需求呈现出指数级增长态势，算力狂潮背后，一个不容忽视的严峻挑战已凸显——芯片散热问题已成为制约算力持续发展的关键瓶颈。以英伟达Blackwell架构为例，其单颗GPU功耗达1400W，按照产业内的相关意见，芯片功耗超过750W，现有常规的散热方案就不足以支持散热的工作需求。当芯片温度超过85℃时，每升高1℃会导致晶体管漏电流增加15%，芯片寿命缩短40%，甚至越来越多的高端芯片失效都是源于热不能快速高效的传导、散出去的原因。因芯片散热原因导致的服务器、数据中心损失也越来越多，也在消耗着算力资源。芯片散热是分层的，从芯片级、到模组级、到数据中心级，一层一层的传导热，再到散热，面对这一挑战，全球科技界正积极寻求解决方案。从新型散热材料的研发，到新的风冷方案，再到液冷、相变冷却等先进散热技术的应用，再到对芯片架构进行优化以降低功耗，各方力量都在努力突破这一瓶颈。随意各项技术不断创新，实现突破，散热能力在不断提升，但芯片级的传导热层面依然存在技术持续提升的迫切性。

在传导热材料方面，单纯材料方面金刚石的导热系数是最高的，可达到2000-2200 W/(m·K)，如果增加物理结构，以铜为制造材料的VC的导热系数可达到5000-10000 W/(m·K)以上。但受制于金刚石制备工艺造成的成本问题，及金刚石基复合材料的膨胀、密度不均等问题，散热产业链更多还是选择VC作为芯片级散传热的主要商业化方案。目前VC制造已经成为成熟的产业链，尤其以台湾方面为主。但传统VC制造都是采用高温烧结工艺，整个生产流程大约30多道，生产周期5-7天，除了高耗能外，其性能已到天花板，且结构强度糟糕，也很难适用于AI带来的新的散热需求。

仲德科技的VC采用“原子堆垛毛细结构”的电化学3D打印技术，毛细结构尺度达到亚微米级别，毛细性能更加出色。采用电化学工艺可控的制造毛细结构，很好的提升了吸液芯的孔隙率和性能。同时板子的封合制造采用激光焊的方式，全制程没有整体高温工序，除导热系数相较于传统VC高10-20%（数据还在持续提升）外，也很好的保持了铜材的原始强度，结构强度远优于传统VC。

结构强度方面，仲德VC在多个客户测试中，可达到600kg重压下不出现塑性变形情况，远远超过产业端对于200-300kg重压情况下不出现变形的指标要求，传统高温烧结均温板在有不锈钢加强筋辅助的情况下仍无法达到以上客户的要求。除了高结构强度以及产品性能，仲德科技的制程生产周期大幅缩短，产品的生产周期缩短到在90分钟之内，大大降低了生产能耗。

目前仲德科技产品采用的是自主研发的第三代“原子堆垛毛细结构”，已正式进入量产阶段。第四代也已处于研发后期阶段，在通过调整工艺、电解液配方、微观结构等方面可进一步提高毛细结构的性能，从而应对芯片更高的功率和热流密度。目前仲德科技产品既是全球首款高结构强度VC，也是首家将该技术推进到产业化应用阶段的企业。

产品应用方面，2025年仲德加快了与客户的测试合作进程，今年启动了包括某AI芯片、某AI交换机、某光模块等在内的多个国际、国内头部企业的测试合作，应用方向包括了可插拔光模块、CPO光模块、交换机芯片、芯片封装等多个领域，并取得了量产前的阶段性结果。在HSS VC产品方面已获得国际某头部交换机企业在主交换机芯片及1.6T光模块用HSS VC散热模组的包产协议及批量订单，预计2026年将会陆续再获得多个国际芯片及服务器企业的商务订单。另外VC-Lid产品在传导热性能及结构强度方面，在配合多个国内外客户测试中得到了很好的验证和认可，预计2026年也将进入量产，成为芯片封装方面解决散热问题的行业新标杆。除提升风冷散热性能外，仲德科技的产品也在积极开展VC+液冷方案的测试，解决液冷模组存在挖热、均热不足的问题。仲德科技除积极的开展与国际头部产业方的商务合作外，也加快了与台湾散热产业链的合作进展。本轮融资目的也是加快扩产节奏，开始批量交付客户。

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