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来源:芯榜晋江
在全球半导体产业加速向高性能、低能耗方向迭代的浪潮中,第四代半导体材料氧化镓(Ga₂O₃)凭借超宽禁带、高击穿场强、低导通损耗等卓越特性,成为突破新能源汽车、AI数据中心、光伏逆变等领域技术瓶颈的关键核心材料。
在此背景下,专注于氧化镓外延片研发与产业化的新锐企业——镓创未来半导体科技(晋江)有限公司(简称“镓创未来”),凭借顶尖科研团队、突破性核心技术以及精准的产业布局,在氧化镓国产化替代的赛道上迅速崛起。
近日,镓创未来核心创始人接受
芯榜专访,深入解析了企业的发展路径与氧化镓产业的未来前景。
一、核心团队:产学研深度融合,十年积淀铸就核心竞争力
“团队是镓创未来的核心竞争力,我们的‘技术基因’贯穿始终。”创始人着重强调。镓创未来的核心创始团队在宽禁带半导体(碳化硅、氧化镓等)材料、器件及工艺领域拥有近十年的研发经验,形成了“学术引领 + 产业落地 + 市场拓展”的黄金协作模式。
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公司创始人毕业于西安电子科技大学集成电路学部(原微电子学院),自2015年起便深耕氧化镓领域,积累了十年丰富的行业经验,对技术研发与产业化方向有着精准的把控能力。团队其他成员同样具备近十年的宽禁带半导体研发经验,对产业痛点与趋势有着深刻的理解。
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此外,团队的发展还得到了高校与专家的强力支持,联合参与了国家重点研发计划、国防重点项目子课题、国家自然科学基金等国家级项目,为企业的技术创新提供了坚实的学术支撑。
二、核心业务与技术突破:双轮驱动,攻克产业化难题
据了解,镓创未来现阶段将主营业务聚焦于“氧化镓异质外延片的研发与产业化”方向,业务范围包含在氧化镓、蓝宝石、碳化硅、硅等多种衬底上开展氧化镓异质外延片的研发与生产工作。公司围绕“提升散热性能、完善掺杂工艺兼容性、降低成本”这一核心指导方针,取得了一系列技术层面的突破。
在异质外延技术板块,公司携手国内科研机构和相关企业,成功研制出具备一定量产能力的全国产化“氧化镓卤化物气相外延生长成套设备”,成功打破国外设备在该领域的垄断局面。基于这款设备,公司完成了氧化镓同质与异质外延 HVPE(氢化物气相外延)工艺的研发,能够在碳化硅、蓝宝石、硅等多种衬底上生长外延层,有效解决了传统氧化镓衬底成本高昂的难题。在性能表现上,碳化硅基异质外延氧化镓产品,其晶面摇摆曲线半峰全宽(FWHM)与载流子迁移率达到国际领先水平;在成本控制方面,衬底成本相较于同质外延大幅降低,外延层成本也显著下降,器件热阻更是降低数倍,成功实现了“高性能与低成本”的平衡。
在氧化镓外延材料掺杂技术领域,该公司创新性地提出“AI 赋能的氧化镓掺杂材料设计与制备”方案。通过多元复合掺杂策略,成功攻克了行业长期面临的掺杂浓度范围窄、难以精准调控的难题。实验室样品实现了载流子浓度跨多个数量级的精准调节,同时保持了优异的迁移率与电学性能,充分满足下游器件多样化的应用需求。目前,该技术已进入量产准备阶段,依托公司现有的异质外延设备与工艺,无需额外投入大量设备成本,即可快速实现从实验室样品到量产产品的转化。上述两项核心技术相互配合,形成了“异质外延设备+工艺 + 宽掺杂浓度范围”的技术闭环,为公司构建起了坚实的核心竞争壁垒。
三、市场布局与行业洞察:国产化需求迫切,应用场景日益清晰
创始人指出,尽管当前氧化镓产业仍处于市场导入期,但国外已形成寡头垄断格局,国产化替代需求十分迫切。在全球头部企业中,日本NCT(Novel Crystal Technology)已实现氧化镓肖特基二极管小批量样品供应,Flosfia计划在2024年底至2025年实现肖特基二极管量产,美国Kyma Technologies则聚焦于氧化镓晶圆与外延片的研发。2022年,氧化镓被纳入瓦森纳协议,国外对华实施严格的技术与产品封锁,国内企业难以获取国外先进材料与器件,这为国内氧化镓企业提供了难得的发展机遇。
目前,国内多数企业主要聚焦于氧化镓衬底的研发,对异质外延环节关注较少,这为镓创未来专注外延片产业化提供了广阔的发展空间。
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经过深入的行业探索,氧化镓产品的应用场景将会覆盖民用与军用领域。在民用领域,新能源车及充电桩是核心突破口。氧化镓可支撑800V以上高压平台,将新能源车的充电时间从碳化硅的半小时压缩至7分钟;在充电桩领域,可直接用氧化镓分立器件替换碳化硅器件,仅需小幅调整电路拓扑。在AI数据中心领域,氧化镓的低导通损耗特性可大幅降低中小型数据中心(年用电量堪比县城)的能耗。此外,氧化镓还可应用于光伏逆变、储能、白色家电(日本已探索在空调中的应用)、手机射频器件(尝试替代铌酸锂制作声表面波滤波器)等领域。在军用领域,氧化镓可用于反无人机系统、导弹尾焰检测等。
据创始人预判,2028年将是氧化镓产业的关键爆发期。该产业将率先从中低压充电领域导入,随后进入数据中心(需1 - 2年验证周期),最终进入新能源车车规级器件市场(需5年车规认证周期,因车载器件对安全性要求极高)。根据2022 - 2023年行业的保守预测,到2030年,氧化镓功率器件、光电探测、晶圆材料市场规模合计将达200亿元人民币,国产化率有望达到40%。
四、落地晋江:政策赋能+ 高效服务,跨区域布局的战略抉择
镓创未来选择落地福建晋江,源于晋江与西安电子科技大学(以下简称“西电”)的深度合作以及当地对集成电路产业的强力支持。
从合作基础来看,晋江市与西电集成电路学部已构建深度合作关系。2024 年上半年,晋江市主要领导曾专程赴西电考察交流,进一步凝聚合作共识,为双方后续协同推进半导体产业发展奠定坚实基础。在此背景下,镓创未来团队与晋江集成电路产业园区管委会建立起紧密对接机制—— 晋江方面对与西电的合作高度重视,不仅将其视为推动本地半导体产业升级的关键抓手,更主动为镓创未来的落地搭建沟通桥梁,助力企业快速融入区域产业生态。
在资金支持与资源保障上,作为东南沿海经济强市,晋江具备充足的产业配套能力,能够为半导体企业提供研发投入、设备采购等关键环节的资金与资源支撑,有效缓解企业初期发展的资金压力。在服务效率上,镓创未来在2025年3月首次考察、7月注册公司、10月完成千万级投资交割,仅用半年时间就完成了全流程,远超预期。晋江集成电路产业园区管委会曾专程来厦门接机,周末还现场协调装修问题,让团队感受到了“实实在在的支持”。
创始人以碳化硅产业为例进行佐证:“美国碳化硅产业起步于90年代初,中国规模化发展始于2010年后,虽然相差20年,但凭借国家扶持已具备国际竞争力。在氧化镓领域,晋江的支持将助力我们快速追赶国外水平,实现‘后发先至’。”
五、未来规划:扩产、提质、拓链,剑指产业化第一梯队
基于当前进展,镓创未来制定了以“产能扩张、技术提质、产业链协同”为核心的发展规划,目标是成为国内氧化镓外延片产业化领军企业。
在产能与运营方面,公司落地晋江芯智造产业园,一期规划厂房面积2000平米,目前正在快速推进装修建设。计划于2026年一季度完成一期装修并正式运营,实现氧化镓外延片小批量投产。
在人才招引方面,公司将依托晋江的人才政策(包括住房补贴、医疗保障、子女教育等),吸引宽禁带半导体领域的人才,构建稳定的团队。
六、结语
在氧化镓产业化赛道上,镓创未来以“技术突破为核、政策支持为翼、产业链协同为脉”,成功破解了国外垄断与成本难题,加速了国产化替代进程。从团队十年技术积淀,到晋江落地的高效推进,企业每一步都紧密契合产业痛点与机遇。随着2026年一季度小批量投产的临近,以及2028年产业爆发期的到来,镓创未来有望成为国内氧化镓外延片领域的领军者,为我国第四代半导体产业的高质量发展注入强劲动能。
—— 芯榜 ——
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