北京
韩国半导体工程师学会在其最新发布的《2026年半导体技术路线图》中，对未来15年的技术发展路径进行了规划。根据该路线图，到2040年，半导体电路的制程节点将突破至0.2纳米，标志着产业将正式迈入埃米级（Å）技术时代。
该路线图旨在提升韩国半导体产业的长期技术与竞争力，并推动学术研究与人才培养。其核心聚焦于九大技术领域，包括半导体器件与制造工艺、人工智能芯片、光互连芯片、无线连接芯片传感器、有线连接芯片、功率集成电路、先进封装以及量子计算。
根据路线图的预测，未来的技术演进将涉及晶体管架构的根本性变革。到2040年，0.2纳米制程将采用互补场效应晶体管（CFET）的全新架构，并搭配单片式3D芯片设计方案。作为韩国半导体制造的领军企业，三星电子已组建专项团队，启动了1纳米芯片的研发工作，目标是在2029年实现量产。
技术迭代的成果将不局限于逻辑芯片领域。在存储芯片方面，路线图预测DRAM内存的电路制程将从目前的11纳米缩减至6纳米。高带宽内存（HBM）的堆叠层数则有望从当前的12层提升至30层，同时带宽将从2TB/s大幅跃升至128TB/s。
在NAND闪存领域，SK海力士目前已研发出321层堆叠的QLC技术。路线图进一步预测，未来该领域将实现2000层堆叠的QLC NAND闪存。此外，针对人工智能处理器，路线图预计其算力也将实现显著提升：用于模型训练的芯片算力将从当前的10TOPS增至1000TOPS，用于推理任务的芯片算力也将达到100TOPS。
目前，三星的2纳米全环绕栅极（GAA）技术被普遍视为全球光刻制程的先进水平。该公司已在规划该工艺的迭代升级，不仅完成了第二代2纳米GAA节点的基础设计，还计划在两年内落地其第三代技术SF2P+工艺。
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本文源自：市场资讯
作者：观察君
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