《科创板日报》25日讯,SK海力士采用改进型电路的HBM4晶圆将于本月底完成晶圆制造,并于明年1月初向英伟达交付其下一代12层HBM4内存的最终样品。如果SK海力士明年1月初能够提交更多优化后的样品,且质量测试能够迅速完成,预计将于2-3月开始全面量产,产能提升在第二季度将得以启动。 (dealsite)
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