深度丨台积电宣布关闭GaN代工产线，GaN惊变？

·聚焦:人工智能、芯片等行业

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前言：

这家定义了全球晶圆代工产业上限的公司，几乎从不轻易[认输]，但唯独在GaN这件事上，台积电选择了收缩、止损、退出。

这不是一次普通的产线调整，而是一个极具象征意义的产业信号：第三代半导体中，GaN正在经历一场被现实修正的集体叙事。

作者| 方文三

图片来源 |网 络

巨头退场背后的产业逻辑

作为全球晶圆代工霸主，台积电曾占据全球GaN晶圆代工40%的市场份额，与德国X-Fab、中国台湾汉磊形成[一超两强]格局，先后与意法半导体、纳微半导体、罗姆等企业建立深度合作。

台积电并不是[做不好]GaN，而是[不值得继续做]。

从技术层面看，台积电的GaN-on-Si工艺在良率、可靠性、参数一致性上，长期处于行业第一梯队。

其早期客户包括电源管理、射频前端、车规级功率器件厂商，技术路线并无明显硬伤。

GaN代工不符合台积电的[规模美学]，对毛利率有着严苛要求的台积电而言，GaN代工业务逐渐沦为[食之无味]的鸡肋，其退出暴露了GaN代工业务的盈利困境。

台积电的商业模式建立在先进制程技术和高附加值产品之上，低于50%的毛利率业务难以契合其战略定位。

而GaN代工订单规模小、利润薄，再加上大陆厂商凭借低成本优势快速崛起，以低价策略吸引大量价格敏感型客户，使得台积电的高价产品逐渐失去市场竞争力。

在AI芯片、先进封装等高利润业务需求井喷的背景下，GaN代工业务每月3000-4000片6英寸晶圆的产能，对年营收数百亿美元的台积电而言如同沧海一粟，仅占总营收约0.1%。

为实现资源的高效配置，台积电最终选择将产能转移至更具盈利潜力的领域，其新竹Fab 5厂也将逐步转型为先进封装（CoWoS）产能。

台积电所有成功的前提，是CMOS逻辑制程的[复利逻辑]，每一代制程进步都能带来明确的性能、功耗、面积、系统价值提升，并由AI、手机、HPC等超级应用持续放大。

而GaN并不具备这样的飞轮效应，工艺节点并不存在类似7nm →5nm→3nm的指数跃迁，性能提升高度依赖器件结构与系统设计，而非纯制程缩小，下游应用的付费意愿高度有限。

换句话说，GaN是工程驱动型产业，而不是制程驱动型产业。

台积电的退出，是一次极其理性的资本配置决策，而非技术路线的否定。

技术、成本与市场的三角博弈，将成为推动产业格局持续优化的核心逻辑。

功率GaN崛起与IDM模式加冕

巨头退场留下的市场空白，正在被新一轮产业力量填补。

值得注意的是，这场产业重构呈现出鲜明的结构性特征，射频GaN式微与功率GaN爆发形成鲜明对比，IDM模式逐渐取代代工模式成为主流。

射频GaN的遇冷并非个例，除了5G基站建设放缓导致需求不足，其应用场景相对有限、研发生产成本高、盈利能力不足等问题也日益凸显，使得投资者热情逐渐降温。

与之形成强烈反差的是，功率GaN市场正迎来[黄金时代]，新能源汽车、数据中心、人形机器人等新兴产业的快速发展。

对高效、高功率密度的电源管理解决方案提出迫切需求，而这正是GaN的核心优势所在。

在新能源汽车领域，GaN功率器件可应用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器和电机驱动系统等，能显著提高系统效率、减轻重量、缩小体积。

在数据中心，GaN器件用于服务器电源、不间断电源等，有助于降低能源消耗、提高运营效率。

在人形机器人领域，其可用于关节驱动、电源管理等，提升机器人性能和响应速度。

Yole Group预测，功率GaN器件市场将从2024年的3.55亿美元增长到2030年的约30亿美元，复合年增长率高达42%。

市场需求的转移促使企业纷纷调整战略，恩智浦退出GaN 5G PA业务后，加大了对汽车用GaN功率器件的研发生产。

台积电在关闭GaN代工产线的同时，也在探索将GaN技术应用于AI芯片配套电源。

这种市场导向的资源再分配，进一步推动功率GaN成为行业发展的核心方向。

伴随市场结构变化的是技术路线的迭代，IDM模式正凭借其独特优势成为产业主流。

当前全球IDM巨头正加速布局GaN领域，英飞凌作为业内首家在现有量产基础设施内成功开发300毫米GaN功率晶圆技术的制造商，2025年投资50亿欧元扩建马来西亚居林第三工厂，重点生产8英寸GaN和SiC晶圆，试图确立硅+碳化硅+氮化镓的全能霸权。

瑞萨电子放弃SiC业务后专注GaN，通过收购Transphorm快速强化布局，已推出第4.5代650V GaN器件，并推进晶圆产线从6英寸向8英寸升级。

德州仪器2024年在日本会津工厂量产GaN器件，并利用达拉斯总部12英寸产线进行试点，一旦成功导入将实现成本指数级下降。

英诺赛科作为全球最大的8英寸GaN IDM厂商，现有晶圆产能1.3万片/月，预计2027年将达到7.2万片/月，累计出货已突破15亿颗，良率超95%，在全球氮化镓功率半导体市场以42.4%的市占率排名第一。

三安光电、华润微、士兰微等本土IDM厂商也在持续加码，推进产线从6英寸向8英寸突破，聚焦衬底材料优化、高压大功率器件设计等核心环节，实现多场景产品落地。

当前，中国已构建起从芯片设计、晶圆代工到封装测试的完整协同生态。

数据显示，中国射频GaN市场份额已从2020年的11.2%大幅提升至2025年的33.8%，全球竞争力显著增强。

与此同时，中国企业也在积极开展国际合作，融入全球供应链。

英诺赛科与宁德时代、英伟达、安森美等行业巨头紧密合作，与意法半导体达成全球GaN技术联合开发与制造协议，实现产能互补。

安森美与英诺赛科合作，依托后者8英寸硅基GaN工艺平台联合开发下一代高效功率器件。

技术迭代与产业竞争的新赛道

GaN产业的重构尚未完成，未来几年将是技术迭代加速、市场格局固化的关键时期。

目前6英寸硅基GaN仍占主导，但行业正迅速向8英寸过渡，预计到2030年8英寸晶圆将满足80%以上的需求。

英飞凌、英诺赛科等企业已在8英寸GaN产线布局上取得显著进展，12英寸GaN产线也在积极探索，英特尔、英飞凌已展示12英寸GaN相关技术成果。

器件创新与材料突破将成为技术竞争的核心，安森美发布的垂直GaN（vGaN）功率器件，允许电流垂直流动，显著提升功率密度、热稳定性与极端工况可靠性，被视为未来重要发展方向。

IMEC启动的300毫米GaN项目，基于硅和QST衬底，有望进一步降低制造成本。

此外，外延技术优化、热管理方案创新、高压大功率器件设计等领域的突破，将持续推动GaN性能提升与成本下降。

在应用领域，消费电子仍将是功率GaN的主要增长动力，快充渗透率已超65%并逐步向笔记本、显示器等品类扩展。

汽车电子增长最为迅猛，CAGR达73%，OBC和LiDAR成为新增长点，2025年车规级GaN营收预计同比增长120%。

数据中心领域受NVIDIA 800V DC系统带动，2025-2026年部署将加速，CAGR达53%。

工业和电网领域则有望在2028-2029年左右实现应用加速。

行业整合将持续深化，继英飞凌收购GaN Systems、瑞萨收购Transphorm后，三星和安森美预计2026年正式入局，行业整体向IDM模式集中，市场集中度将进一步提升。

缺乏规模效应与技术储备的中小厂商处境艰难，要么被头部企业收购，要么剥离非核心业务收缩战线。

地缘与供应链安全将成为影响产业发展的重要变量，美国芯片法案、欧盟ESMC项目、中国强化产业链自主等措施，推动GaN产能本土化布局，同时技术合作并未停止，产业将长期处于[竞合交织]的状态。

在市场和标准上竞争，在特定技术环节和供应链上合作，将成为未来全球GaN产业的常态。

结尾

台积电关闭GaN代工产线，并不意味着GaN技术失败。

GaN的真实定位，正在变得清晰，它不是通用平台，而是特定场景下的最优解。

台积电的态度，本身就是一张[产业估值修正表]。当神话退潮，留下来的，才是真正理解产业的人。

这或许正是台积电这次选择，留给整个半导体行业的最重要启示。

部分资料参考：半导体行业观察：《GaN，生变》，全球半导体观察：《关闭晶圆厂，巨头撤场，GaN市场大动荡？》，三代半食堂：《2025 Q3 GaN 专利战：创新加速 中国占七成 产业格局加速成形》

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