上海
《科创板日报》12月24日讯 据韩国《朝鲜日报》今日消息，三星电子、SK海力士等存储供应商已上调明年HBM3E价格，涨幅接近20%。一般而言，在新一代HBM产品面世之前，供应商往往会下调前一代产品价格，因此本次涨价在业内较为罕见。
在这背后，是供需两端的共同作用。供应方面，存储厂商预计明年第六代HBM（即HBM4）需求将增加，加大对其产能投入，导致HBM3E产能遭到积压。
需求方面，除了英伟达之外，来自谷歌、亚马逊等公司的订单量也大幅增加。
其中，英伟达H200芯片每颗搭载6颗HBM3E；搭载HBM3E的谷歌第七代TPU和亚马逊Trainium将于明年开始出货，两款产品HBM搭载量均较上一代产品增加约20%至30%，前者每颗搭载8颗HBM3E，后者搭载4颗HBM3E。
KB Securities指出，由于ASIC需求激增，以ASIC为主要客户的三星，2026年HBM总出货量将有望较2025年暴增3倍，预估将达111亿Gb。且其预计明年HBM市场的营收占比将为HBM4占55%、HBM3E占45%；从明年第三季度起，HBM4将快速吸收HBM3E的需求。
值得注意的是，美光在上周的业绩会上，同样对HBM给出了乐观预期。
公司高管透露，公司2026年（日历年）全年HBM的供应量已就价格和数量与客户达成协议，全部售罄；预计HBM总潜在市场（TAM）将在2028年将达到1000亿美元（2025年为350亿美元），复合年增长率约40%。美光预计2026年资本支出将达200亿元，用于支持HBM和1-gamma DRAM供应。
招商证券表示，预计存储产业后续DRAM和NAND资本开支将会持续增长，但对2026年产能助力有限，预计2026年DRAM和NAND资本开支分别同比增长14%和5%，但扩产次序还是优先AI高端存储，NAND类相对靠后。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
