北京
AIPress.com.cn报道
12月22日消息，据韩国《每日经济新闻》报道，三星电子在下一代高带宽内存（HBM4）领域取得了里程碑式的突破，成功扭转了此前在 HBM3E 世代的被动局面。
在针对英伟达（Nvidia）即将推出的 Vera Rubin 系列 AI 加速器的性能测试中，三星 HBM4 在传输速度与能效比上均表现出色。英伟达代表在上周实地考察时确认，三星提交的测试结果是“存储行业内的最佳成绩”，并因此提出了远超三星内部预期的供货需求量。
三星此次“绝地反击”的核心在于其激进的技术跨越：公司果断放弃了中间的 D1b DRAM 工艺，直接“跳级”研发 10 纳米级 D1c 工艺。通过将这一尖端内存芯片与基于 4 纳米代工工艺 制造的逻辑层（Logic Die）相结合，三星成为全球首家实现数据传输速率超过 11Gbps 的存储厂商。
尽管竞争对手 SK 海力士在量产进度上仍保持约三个月的领先优势，但三星已成功将此前长达一年的技术代差大幅收窄。
市场数据清晰记录了三星的强势回归。2025 年第三季度，三星以 22% 的市场份额超越美光（Micron），重新夺回 HBM 市场全球第二 的宝座。
据悉，双方预计将在 2026 年第一季度正式签署供货合同，并在第二季度开启大规模交付，以确保英伟达 Vera Rubin 平台能在 2026 年第三季度如期发布。这一进展标志着三星在全球 AI 存储竞赛中已重新回到核心领跑阵营。（AI普瑞斯编译）
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