导阻覆盖140~500mΩ，英飞凌推出7颗消费级应用氮化镓

前言

近期，充电头网了解到，英飞凌面向消费级市场推出7款全新CoolGaN™ G5 700V增强型氮化镓器件，导阻覆盖140~500mΩ，为不同功率等级与效率目标提供更多选型。本次7款器件提供PG-TSON-8与DPAK两类封装，满足消费级高功率密度电源产品对高频、高效率功率器件的需求。

英飞凌CoolGaN™ G5 700V高压氮化镓

英飞凌CoolGaN™ G5 700V高压氮化镓采用增强型结构，常关断、无反向恢复电荷，具备极低栅电荷与输出电荷，支持超高速开关和反向导通，在高频条件下大幅降低开关损耗并提升系统效率；同时，其动态导阻和热漂移控制更优，ESD等级可达2kV HBM/1kV CDM，并结合ThinPAK/TSON、DPAK等底部散热封装以及8英寸晶圆+全自动量产工艺，实现更紧凑的功率密度、更可靠的一致性，为快充、电源模块、AI服务器、电信电源等700V级应用提供高效率、高可靠的GaN开关器件平台。

充电头网将本次英飞凌面向消费级市场推出的7款氮化镓器件部分参数汇总至上表，详细参数将在下文为您介绍。

IGD70R140D2S

在产品特性层面，IGD70R140D2S为一颗700V增强型功率晶体管、具备超高速开关、无反向恢复电荷、可反向传导低栅极电荷、低输出电荷、66mΩ低导通电阻RDS(on)、底部冷却封装、通过JEDEC认证（JESD47、JESD22）；在应用领域层面，可用于PD快充、DC适配器、电视电源以及家用电器等场景。

IGLR70R140D2S

在产品特性层面，IGD70R140D2S为一颗700V增强型功率晶体管、超高速开关、无反向恢复电荷、可反向传导低栅极电荷、低输出电荷、66mΩ低导通电阻RDS(on)、底部冷却封装、通过JEDEC认证（JESD47、JESD22）；在应用领域层面，可用于PD快充、DC适配器、电视电源以及家用电器等场景。

IGD70R200D2S

在产品特性上，IGD70R140D2S为一颗700V增强型功率晶体管、具备超高速开关、无反向恢复电荷、可反向传导低栅极电荷、低输出电荷、66mΩ低导通电阻RDS(on)、底部冷却封装特性、通过JEDEC认证（JESD47、JESD22）；在应用领域层面，可用于PD快充、DC适配器、电视电源以及家用电器等场景。

IGLR70R200D2S

在产品特性上，IGLR70R200D2S为一颗700V增强型功率晶体管、具备超高速开关、无反向恢复电荷、可反向传导低栅极电荷、低输出电荷、240mΩ低导通电阻RDS(on)、底部冷却封装特性、通过JEDEC认证（JESD47、JESD22）；在应用领域层面，可用于PD快充、DC适配器、电视电源以及家用电器等场景。

IGLR70R270D2S

在产品特性上，IGLR70R270D2S为一颗700V增强型功率晶体管、具备超高速开关、无反向恢复电荷、可反向传导低栅极电荷、低输出电荷、330mΩ低导通电阻RDS(on)、底部冷却封装特性、通过JEDEC认证（JESD47、JESD22）；在应用领域层面，可用于PD快充、DC适配器、电视电源以及家用电器等场景。

IGD70R270D2S

在产品特性上，IGD70R270D2S为一颗700V增强型功率晶体管、具备超高速开关、无反向恢复电荷、可反向传导低栅极电荷、低输出电荷、330mΩ低导通电阻RDS(on)、底部冷却封装特性、通过JEDEC认证（JESD47、JESD22）；在应用领域层面，可用于PD快充、DC适配器、电视电源以及家用电器等场景。

IGD70R500D2S

在产品特性上，IGD70R500D2S为一颗700V增强型功率晶体管、具备超高速开关、无反向恢复电荷、可反向传导低栅极电荷、低输出电荷、600mΩ低导通电阻RDS(on)、底部冷却封装特性、通过JEDEC认证（JESD47、JESD22）；在应用领域层面，可用于PD快充、DC适配器、电视电源以及家用电器等场景。

充电头网总结

英飞凌此次面向消费级市场推出的7款CoolGaN™ G5氮化镓，既兼顾高频、高效率，又兼顾量产一致性与散热设计灵活度。借助PG-TSON-8与DPA等封装这一系列器件能够覆盖从PD快充、适配器到电视电源、家电电源等多类应用场景，为工程师在电源设计中提供更丰富、更可靠的GaN选型。