北京
阿斯麦（ASML）CEO表示，公司为High-NA EUV（高数值孔径极紫外光刻机）所设计的光刻改进方案已得到验证，成像效果极佳，分辨率非常出色。报道称，阿斯麦将与客户密切配合，确保High-NA EUV在明年内实现停机时间降至最低的稳定运行。ASML预计，High-NA EUV将在2027至2028年间实现大规模量产。
当前，全球光刻机市场仍由ASML(占比超过八成)、佳能(一成左右)、尼康(不到一成)垄断，但竞争逻辑正在改变：就在海外光刻机技术迭代的同时，受制于“光刻机封锁”的中国在需求与政策双重驱动下，也在加快光刻机、光刻胶相关产品国产化的进度。
作为“十四五”重点发展产业，光刻机已获得政策面大力扶持：设立国家集成电路产业基金，对光刻机研发给予最高50%的补贴，重点支持EUV光源、双工作台等核心技术攻关；光刻机企业所得税率降至10%，进口关键零部件关税减免，研发费用加计扣除比例提升至150%；支持高校开设光刻机相关专业。
对此，ASML的CEO承认“中国已经在很多领域实现自主研发了，假以时日，他们甚至可能反过来向我们出口这些产品。”
中研普华预计，2025年全球光刻机市场预计突破315亿美元，中国贡献22%的份额，年增速达50%，是全球平均水平的5倍。
展望后市，2025-2030年，中国光刻机市场将经历从“技术突围”到“生态重构”的质变。华尔街巨头预计，AI基础设施投资热潮将持续至2030年，规模高达3-4万亿美元。SEMI预测这将拉动半导体市场在2030年达到1万亿美元。这将直接刺激光刻机/光刻胶相关产品市场高增长。
具体到A股市场，光刻机/光刻胶国产化进程加速，A股相关企业将直接受益于技术突破与市场扩张。可关注技术领先、政策受益的龙头企业。（光大证券微资讯）
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