北京
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国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“使CVD腔室能够在不同温度下处理晶圆”的专利，公开号CN121079450A，申请日期为2024年2月。
专利摘要显示，本文描述了一种用于处理基板的方法及设备。所描述的方法及设备使化学气相沉积(CVD)腔室能够在不同的温度下处理基板（本文也称为晶圆）。该处理腔室包括腔室主体、安置在腔室主体内并具有顶表面的基板支撑件、穿过基板支撑件安置的多个基板升降销及遮蔽环升降组件。该遮蔽环升降组件可操作以将遮蔽环升高及降低至位于基板支撑件的顶表面上方或与该顶表面齐平。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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