北京
国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件的制作方法”的专利，公开号CN 121057325 A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件的制作方法，应用于半导体技术领域。本发明包括提供具有像素区和逻辑区的基底，形成第一凹槽位于像素区上，形成第二凹槽位于逻辑区上，所述第一凹槽的底面高于所述第二凹槽的底面，形成绝缘材料层共型地覆盖在硬掩膜层上，对绝缘材料层进行化学机械研磨工艺，以去除部分高度的绝缘材料层直至露出硬掩膜层；由于本发明针对利用隔离阱结构进行相邻像素单元隔离的图像传感器，在用于形成像素区中有源区的光罩中添加了一些小尺寸图案，因此在逻辑区的外延层内形成第二凹槽（沟槽隔离相应位置）的同时在像素区的硬掩膜层内形成多个第一凹槽，即节省了一张光罩，又降低了CMP工艺的EPD抓取难度和简化了制程及降低了制造成本。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目632次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1444条，此外企业还拥有行政许可22个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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