北京
国家知识产权局信息显示，深圳市智创谷技术有限公司申请一项名为“一种用于磁控溅射镀膜提高靶材利用率的方法及系统”的专利，公开号CN121023456A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明涉及磁控溅射镀膜技术领域，尤其涉及一种用于磁控溅射镀膜提高靶材利用率的方法及系统，包括：获取并记录溅射镀膜控制系统特征数据、若干历史时间节点的靶材利用率、膜层均匀度，得到控制系统历史参考数据组；对预设镀膜规则进行有效性评估，并基于有效性评估结果对预设镀膜规则进行一次优化；计算各时间节点靶材利用率和膜层均匀度与预设标准靶材利用率、标准膜层均匀度的差异量，基于差异量对控制系统历史参考数据组进行控制效果评估，得到控制系统参考控制策略；基于控制系统参考控制策略驱动立式磁控溅射镀膜设备进行镀膜，本发明解决了现有技术存在的镀膜质量和靶材利用率低的问题。
天眼查资料显示，深圳市智创谷技术有限公司，成立于2015年，位于深圳市，是一家以从事通用设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市智创谷技术有限公司专利信息21条，此外企业还拥有行政许可8个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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