北京
国家知识产权局信息显示，湖南汇思光电科技有限公司申请一项名为“一种基于四元锑化物盖层的量子点及其生长方法”的专利，公开号CN121038451A，申请日期为2025年10月。专利摘要显示，一种基于四元锑化物盖层的量子点及其生长方法，生长方法包括：将衬底去除氧化层，并除气；在衬底上进行第一GaAs缓冲层的生长；在第一GaAs缓冲层上进行AlGaAs缓冲层的生长；在AlGaAs缓冲层上进行第二GaAs缓冲层的生长；在第二GaAs缓冲层上进行InGaAs量子阱的生长；在InGaAs量子阱上生长InAs量子点；在第四设定温度下InAs量子点上生长InGaAsSb应力缓冲层，然后维持第四设定温度，并在InGaAsSb应力缓冲层上生长GaAs盖层，然后将衬底升温到第一设定温度，并在GaAs盖层上生长GaAs间隔层。本发明通过四元锑化物能够进一步将量子点的发光波长从C波段红移至E波段。
天眼查资料显示，湖南汇思光电科技有限公司，成立于2020年，位于长沙市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本4290万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南汇思光电科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目12次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息32条，此外企业还拥有行政许可4个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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