北京
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国家知识产权局信息显示，长春理工大学、汉威科技集团股份有限公司申请一项名为“一种2μm波段锑化物双波长窄线宽激光器”的专利，公开号CN121035764A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，一种2μm波段锑化物双波长窄线宽激光器。涉及半导体激光器技术领域，具体涉及一种2μm波段锑化物双波长窄线宽激光器技术领域。本发明采用1nm~2nm的薄势垒隔开不同的两个量子阱，得到隧穿耦合非对称量子阱结构，再通过电子跃迁，实现双波长输出。所述激光器包括：激光增益区和复合DBR光栅区；激光增益区包括：衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、隧穿耦合非对称量子阱有源区、上波导层、上限制层以及接触层；隧穿耦合非对称量子阱有源区包括：第一势阱层、势垒层和第二势阱层；复合DBR光栅区包括：脊波导上周期为T1的DBR光栅和脊波导两侧周期为T2的侧向DBR光栅。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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