北京
国家知识产权局信息显示，国科光芯金杏（北京）实验室科技有限公司申请一项名为“一种下埋式电极的异质集成电光调制器件及其制备方法”的专利，公开号CN121028411A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，公开了一种下埋式电极的异质集成电光调制器件及其制备方法，包括：在波导芯两侧的电极金属沉积槽内填充形成初始电极层，并进行化学机械抛光工艺，初始电极层的抛光去除速率大于第二包层，在初始电极层中形成第二凹陷，得到电极层；电极层上表面最高位置高于波导芯上表面，且与波导芯上表面高度差值小于波导芯上方的第二包层厚度；在第二包层表面和第二凹陷内形成层间耦合层并键合电光材料膜层。本发明可以简化工艺流程，扩大下埋式金属电极CMP与层间耦合层CMP的工艺窗口，降低金属电极CMP时波导芯被金属粒子沾污损伤及层间耦合层CMP时金属电极暴露等风险，进而提高电光调制器件的可靠性和调制性能。
天眼查资料显示，国科光芯金杏（北京）实验室科技有限公司，成立于2021年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，国科光芯金杏（北京）实验室科技有限公司专利信息46条，此外企业还拥有行政许可2个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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