北京
国家知识产权局信息显示，北京晶格领域半导体有限公司申请一项名为“一种能去除残留液滴的液相法生长碳化硅的装置及方法”的专利，公开号CN121023647A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明涉及一种能去除残留液滴的液相法生长碳化硅的装置及方法，属于碳化硅晶体生产技术领域。所述装置包括坩埚主体、具有开口的坩埚盖、籽晶杆和设置在坩埚主体和坩埚盖之间的由石墨软毡制成的液滴去除部件；石墨软毡在中心位置设置有十字交叉切割结构；籽晶杆的一端连接有籽晶托，籽晶托上连接有籽晶，籽晶杆连接籽晶托的一端依次通过开口和十字交叉切割结构伸入坩埚主体的内部；在液相法生长碳化硅晶体结束后，籽晶杆能够带动碳化硅晶体穿过液滴去除部件，并与液滴去除部件上表面进行接触旋转以去除残留液滴；所述装置还包括用于判断碳化硅晶体的位置的监测系统。本发明装置结构紧凑、成本低、操作简便，可高效去除晶体表面残留液滴。
天眼查资料显示，北京晶格领域半导体有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3345.6577万人民币。通过天眼查大数据分析，北京晶格领域半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息30条，此外企业还拥有行政许可6个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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