2025年新增两院院士及其著作：李尔平

李尔平，男，汉族，1962年11月出生，河北平山人。2009年全职加入浙江大学，求是讲席教授。2025年当选为中国工程院外籍院士。

李尔平是微纳芯片及封装集成电磁兼容国际开拓者和引领者。率先引入量子电流密度拓展麦克斯韦方程，发现了极小尺度电路中微观电荷转移的量子隧穿效应，推动了后摩尔时代纳尺度半导体超小型化技术产业发展。建立了电磁兼容跨尺度协同理论，解决摩尔定律逼近物理极限时的高频电磁干扰问题，成为高性能芯片及封装电磁设计规范主导设计标准。解决了宽带电磁隔离及高能效抑制难题，实现全方位电磁防护，带动我国在该领域研究世界领先。成果在微纳集成电路和通信产业广泛应用。2008年当选 IEEE Fellow，2009年入选首批“国家高层次人才计划”特聘专家后加入浙江大学。2022年当选新加坡工程院院士。发表期刊论文420篇，专著6部，其杰出学术成果荣获国内外重要学术奖20余项，他还是全球唯一获该领域的国际三大奖的华人学者，国际三大奖为：最高奖IEEE理查德·斯托达特（Richard Stoddart Award）杰出成就奖(全球每年仅授一位)、劳仑斯·克明(Laurance G. Cumming Award)卓越贡献奖和IEEE技术成就奖。

《麦克斯韦方程新拓展和应用》
ISBN 978-7-03-082169-0
李尔平，王中林 等著
2025年06月

本书从电磁物理理论出发，重点阐述了在量子效应、尺寸效应和介质运动效应作用下的麦克斯韦方程最新拓展与应用，以及这些效应在纳米尺度电子和光学器件中的影响。这是迄今为止系统地介绍在此环境下麦克斯韦方程理论、实验和应用研究的最新拓展的首部专著。

《中国电子信息工程科技发展研究 后摩尔时代微纳新器件电磁场专题》
SBN 978-7-03-082817-0
中国信息与电子工程科技发展战略研究中心 编著
2025年07月

后摩尔时代纳米尺度光电信息器件受尺度效应和量子效应的显著影响，导致经典电磁场难以精确预测其电学特性。本书针对这一核心问题，从纳米尺度电磁理论出发，阐述了电磁场量子化理论、计算电磁学、材料学，以及其在纳米尺度光电子器件的应用，为后摩尔时代纳米尺度光电子器件及系统工程设计提供非经典的微观电磁场理论实用框架。

李尔平、王中林等合著《麦克斯韦方程新拓展和应用》一书发布