北京
国家知识产权局信息显示，湖南泰坦未来科技有限公司取得一项名为“一种多孔分隔板及碳化硅晶体生长装置”的专利，授权公告号CN 223592882 U，申请日期为2024年10月。专利摘要显示，本实用新型属于碳化硅晶体生长技术领域，尤其是一种多孔分隔板及碳化硅晶体生长装置，针对在PVT生长SiC单晶的高温环境中，在2200-2400度超高温、腐蚀性的Si气氛下，生成的SiC单晶内部碳包裹缺陷数量较多，并且碳材料会因为被Si腐蚀而产生破坏，导致失效的问题，现提出如下方案，包括主板体，所述主板体上开设有通孔，所述主板体外设置有碳化物涂层，本申请中多孔分隔板外形简单，生产技术简单，生产成本低，方便制作涂层，延长多孔碳材料的使用寿命，并且碳化硅晶体生长装置能够保持生长过程中气流速率的均匀性，减少产品中形成的缺陷，减少碳颗粒杂质上升量，提高晶体质量。
天眼查资料显示，湖南泰坦未来科技有限公司，成立于2021年，位于长沙市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本4600万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南泰坦未来科技有限公司参与招投标项目5次，专利信息21条，此外企业还拥有行政许可4个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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