存储芯片急单涌现，3D NAND代工“风口”属于谁？

21世纪经济报道记者孙燕 无锡报道

“支撑AI大模型的底层基础设施——服务器、数据中心、存储，有望从2024年的1490亿美元增长到2030年的3400亿美元，是半导体市场中增长最快的部分。”11月19日，国际半导体产业协会（SEMI）中国总裁冯莉在2025年产业链供应链国际合作交流会暨企业家太湖论坛分论坛——集成电路产业链合作对接交流会上指出。

AI浪潮不仅点燃了以GPU为代表的逻辑芯片，也拉动了对存储芯片的需求。

今年以来，三星、SK海力士等国际存储巨头逐渐将部分DRAM产能转向HBM，同时将NAND产能聚焦于高层数、高性能产品，以满足AI需求。

这一集体转向也给存储市场留下了供给缺口。至讯创新科技（无锡）有限公司董事长汤强指出，由AI算力基建驱动，2025年开始存储芯片迎来了“超级周期”。“业内人士预计在接下来数年内，存储芯片都会处于缺货状态。因此，这次周期也为存储代工的发展提供了机会。”

“出于管理效率、成本控制等考虑，国际存储大厂量产的技术节点通常不超过3-4代。当主流技术推进到300层左右时，100层以下的中低层数3D NAND逐渐被大厂放弃。”汤强指出。

这与当年大厂逐步淡出NOR Flash及部分2D NAND市场的逻辑如出一辙。

彼时，这一过程带来了中低容量存储器市场空缺，迅速被中国本土设计公司和晶圆代工厂填补：兆易创新、普冉股份、武汉新芯、东芯半导体等本土厂商，在NOR Flash和2D NAND领域获得了大量代工订单，市场份额快速提升。

汤强回顾道，最早的闪存代工主要指NOR Flash代工，兆易创新推动了NOR Flash代工生态的形成，目前NOR Flash代工市场大约有30亿美元。近几年间，2D NAND代工市场兴起，这一市场规模约50亿美元。“3D NAND代工的市场更大，大约在100亿美元。”

目前3D NAND单颗芯片容量1Tb起步，2D SLC和 MLC容量覆盖从数百Mb到数十Gb，数十Gb-1Tb容量点需要中低层数3D NAND（<128层）覆盖。

“在几十Gb到1Tb之间，主要靠库存和极少数产能在支撑，但这一市场的客户需求巨大，还有AR眼镜等新型应用需求出现。”汤强指出。

供需错配之下，市场上已经出现存储急单。如11月17日，中芯国际在投资者关系活动记录表中表示，该公司承接了大量存储包括NOR/NAND Flash等急单。“当前AI产业占据了大量产能，导致主流供应商逐步退出碎片化、少量多样的细分市场。这一转变给众多中小规模供应商带来重要机遇，而他们中许多正是我们的客户。”

眼下，随着国际存储大厂主动战略收缩，也给国内带来了历史性机遇。

“3D NAND和逻辑芯片有90%的机台可以共线，只要投入10%的专用机台，就能够拉动3D NAND产线。从提升产能利用率的角度考虑，3D NAND代工最好是基于28-40nm的逻辑芯片产线扩展共线。”汤强告诉记者，一方面，此前NOR Flash和2D NAND代工也是与逻辑芯片共线；另一方面，国内的逻辑芯片产能较多，长三角尤其有优势。

以无锡为例，华虹无锡拥有月产能近10万片的12英寸生产线，虽然其主力产品是逻辑芯片，但其成熟的工艺平台完全具备支持3D NAND所需的部分配套芯片或特殊工艺的制造能力。

汤强指出，在需求方面，江苏及长三角地区的智能终端、新能源汽车、AI等产业对存储芯片需求旺盛，Fab的代工业务能轻松对接本地海量客户，获取稳定订单，还能依托无锡综保区等平台对接国际客户，拓展海外市场。

同时在供给方面，江苏已形成密集的集成电路产业集群，无锡聚集华润微电子、盛合晶微、长电科技等众多龙头企业，能够形成完善的存储产业链闭环。存储芯片代工也能串联起这些环节，形成“研发-制造-封装-测试-应用”的完整生态。

新“风口”之下，江苏既有以无锡SK海力士为代表的IDM制造基地，也有以华虹、中芯为代表的代工厂，更有以长电科技为代表的封测龙头和配套产业，或有望成为全球存储产业链中一个不可或缺的战略节点。